[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法，包括：提供初始基底，所述初始基底包括相邻的中间区和边缘区；在中间区的初始基底内形成第一开口；在所述第一开口的侧壁表面形成第一调节层；形成所述第一调节层之后，在边缘区的初始基底内形成若干第二开口，所述第二开口的深度大于第一开口的深度，相邻第一开口和第二开口之间的初始基底形成第一鳍部，相邻第二开口之间的初始基底形成第二鳍部；所述第一鳍部、第二鳍部、第一开口以及第二开口底部的初始基底形成基底；在基底表面形成隔离结构，所述隔离结构的顶部表面低于所述第一鳍部和第二鳍部的顶部表面。所述方法形成的半导体器件的性能较好。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。器件作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，传统的平面器件对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应而导致漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。

为了克服器件的短沟道效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(Fin FET)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多栅器件，鳍式场效应晶体管的结构包括：位于半导体衬底表面的鳍部和隔离层，所述隔离层覆盖部分所述鳍部的侧壁，且隔离层表面低于鳍部顶部；位于隔离层表面，以及鳍部的顶部和侧壁表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。

然而，现有技术形成的半导体器件的性能较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供初始基底，所述初始基底包括相邻的中间区和边缘区；在中间区的初始基底内形成第一开口；在所述第一开口的侧壁表面形成第一调节层；形成所述第一调节层之后，在边缘区的初始基底内形成若干第二开口，所述第二开口的深度大于第一开口的深度，相邻第一开口和第二开口之间的初始基底形成第一鳍部，相邻第二开口之间的初始基底形成第二鳍部；所述第一鳍部、第二鳍部、第一开口以及第二开口底部的初始基底形成基底；在基底表面形成隔离结构，所述隔离结构的顶部表面低于所述第一鳍部和第二鳍部的顶部表面。

可选的，形成所述第二开口之后，形成所述隔离结构之前，还包括：在初始基底表面形成第二调节层，所述第二调节层覆盖部分第一鳍部和第二鳍部的侧壁表面和第一调节层的侧壁表面。

可选的，所述第一调节层的材料包括：氮化硅或氧化硅；所述第一调节层的厚度为8埃～30埃。

可选的，所述第一调节层的形成方法包括：在初始基底表面、以及第一开口的底部表面和侧壁表面形成第一调节材料层；回刻蚀所述第一调节材料层，直至暴露出初始基底的顶部表面和第一开口的底部表面，形成所述第一调节层。

可选的，所述第二调节层的材料包括：氮化硅或氧化硅；所述第二调节层的厚度为10埃～35埃。

可选的，所述第一开口的形成方法包括：在所述初始基底表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出中间区的部分初始基底表面；以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述初始基底，在中间区的初始基底内形成第一开口。

可选的，所述第一掩膜层的形成方法包括：在初始基底上形成第一辅助图形层，所述第一辅助图形层覆盖部分初始基底表面；在所述初始基底表面形成初始第一掩膜层，所述初始第一掩膜层覆盖第一辅助图形层顶部和侧壁；回刻蚀所述初始第一掩膜层，直至暴露出第一辅助图形层顶部表面，形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖第一辅助图形层的侧壁。