[发明专利]一种叠层器件、清洗装置及方法

说明书

本发明公开了一种叠层器件、清洗装置及方法，属于半导体制造工艺技术领域。所述叠层器件包括：衬底及若干支撑柱；若干支撑柱固定设置在衬底上；支撑柱上设置有若干叠片；若干叠片均匀间隔设置在支撑柱上，若干叠片中每两个叠片之间相平行。本发明叠层器件、清洗装置及方法可以清洗叠层结构的各类深孔、深槽、侧壁凹槽、叠层间隙等清洗液不易于浸入的结构位置，完成有效清洗，不会对叠层结构造成损伤。

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，特别涉及一种叠层器件、清洗装置及方法。

背景技术

近年来，非易失性存储(NVM)技术在许多方面都取得了一些重大的进展，为计算机系统的存储能效提升带来了新的契机，研究者们建议采用新型NVM技术来替代传统的存储技术，以适应计算机技术发展对高存储能效的需求。其中，三维闪存(3D NAND Flash)是革新性的半导体存储技术，通过增加存储叠层而非缩小器件二维尺寸实现存储密度增长，将半导体存储器的发展空间带入第三维度，成为未来实现存储器芯片容量可持续增长的关键。

三维闪存的制造工艺中出现的叠层器件的结构中将出现较多的深孔、深槽、侧壁凹槽、叠层间隙等结构特征。而一般的清洗工艺中，清洗液在表面张力的作用下很难有效的渗入到这类深孔、深槽、侧壁凹槽、叠层间隙等结构中完成对残余颗粒等杂质的有效清洗，将直接降低对器件结构的湿法清洗工艺效率。

发明内容

本发明提供一种叠层器件、清洗装置及方法，解决了或部分解决了现有技术中无法实现对叠层器件的有效清洗，降低清洗工艺效率的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种叠层器件包括：衬底及若干支撑柱；若干所述支撑柱固定设置在所述衬底上；所述支撑柱上设置有若干叠片；若干所述叠片均匀间隔设置在所述支撑柱上，若干所述叠片中每两个叠片之间相平行。

进一步地，所述衬底为硅片衬底。

进一步地，所述支撑柱及叠片的材质均为硅晶圆。

基于相同的发明构思，本发明还提供一种叠层器件的清洗装置包括：激光器及聚焦透镜；所述聚焦透镜设置在所述激光器与所述叠层器件之间；所述激光器的发射端对准所述聚焦透镜。

进一步地，所述叠层器件的清洗装置还包括：第一驱动机构；所述第一驱动机构与所述激光器及聚焦透镜连接。

进一步地，所述第一驱动机构包括：框架及油缸；所述框架上设置所述激光器及聚焦透镜；所述油缸的伸缩端与所述框架连接。

进一步地，所述油缸的伸缩端与所述叠层器件平行。

进一步地，所述叠层器件的清洗装置还包括：第二驱动机构；所述第二驱动机构与所述叠层器件的底部连接。

基于相同的发明构思，本发明还提供一种叠层器件的清洗方法包括以下步骤：将所述叠层器件表面喷涂清洗液，使清洗液分布扩散；将所述叠层器件设置在所述清洗液内；将聚焦透镜设置在激光器与所述叠层器件之间；开启激光器，所述激光器发射高频脉冲激光，通过所述聚焦透镜聚焦到所述叠层器件的若干支撑柱之间的间隙形成激光聚焦作用点，所述激光聚焦作用点在所述清洗液的液面以下；所述支撑柱上的若干叠片之间形成若干切割沟道槽，所述高频脉冲激光冲击所述清洗液，连续作用所述清洗液，使所述清洗液浸入到所述切割沟道槽进行清洗；移动所述激光器或所述叠层器件，使所述激光聚焦作用点沿着切割沟道槽移动，移动位置覆盖所有切割沟道槽，完成所述叠层器件的清洗。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：