[发明专利]一种正性光刻胶去胶清洗组合物及其应用

说明书

本发明公开了一种正性光刻胶去胶清洗组合物，主要组分包括季铵类氢氧化物、水溶性链烷醇胺、水溶性有机极性溶剂和具有环己基的酯类化合物。正性光刻胶去胶清洗组合物中含有具有环己基的酯类化合物，该酯类化合物在碱性有机相中性能稳定，季铵类氢氧化物在水洗液中电离生成氢氧根离子，水洗液呈碱性，具有环己基的酯类化合物碱性条件下水解生成酸和醇并保持反应平衡，酸能快速中和碱液中的氢氧根离子，改善水洗工序对于晶圆表面金属层的腐蚀程度。本发明还公开了正性光刻胶去胶清洗组合物在基板光刻胶剥离工艺中的应用。

技术领域

本发明涉及光刻胶去胶清洗组合物组合物技术领域，具体涉及一种正性光刻胶去胶清洗组合物及其应用。

背景技术

TFT-LCD工艺中，通过Sputter或者CVD在阵列基板成膜，以光刻胶作为掩膜，通过湿法刻蚀或者干法刻蚀，在膜层上得到所需要的图案。去除作为掩膜光刻胶的过程称为剥离。光刻胶按照作用机理可分为正性光刻胶和负性光刻胶，正性光刻胶的曝光区域更加容易溶解于显影液，正性光刻胶树脂是线性酚醛树脂。

关于半导体圆片级封测行业内8寸、12寸圆片上正性光刻胶(如AZ4620系列)的去除，现有技术中公开了以下非水系去胶清洗组合物：CN106773562A空开了一种去除AZ光刻胶的去胶液，其配方包括：10-50wt％酯类化合物，10-50wt％有机醇，补足余量的极性有机溶剂；其中酯类化合物为一元酸酯、二元酸酯或内酯中的一种，有机醇为C2～3醇类，极性有机溶剂为二甲亚砜、环丁砜、二甲基砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、碳酸丙二酯、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮中的一种。上述去胶清洗组合物处理后的基板表面无明显腐蚀，但是剥离后的基板表面有光刻胶残留。

CN102667628A公开了一种非水系光阻剥离剂组成物，其包括5-30重量％的碱性化合物、20-80重量％的酰胺化合物、10-70重量％的极性溶剂以及0.0-10重量％的烷醇胺盐。上述去胶清洗组合物中含有碱性化合物，在剥离后续的水洗过程中，碱性化合物如由甲胺、乙胺、单异丙胺等有机碱和烷醇胺盐的水解均能生成氢氧根，致使水洗液呈碱性，此时水洗液中缓蚀剂含量少，氢氧根容易对基板表面的铝和铜发生侵蚀，特别是铝层，最终在基板表面形成零星的侵蚀点。

发明内容

本发明的目的之一在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种正性光刻胶去胶清洗组合物，通过引入具有环己基的酯类化合物，利用碱性条件下酯水解产生有机酸中和氢氧根，有助于改善水洗液对于金属层特别是铝层的腐蚀。

为实现上述目的，本发明的技术方案为：一种正性光刻胶去胶清洗组合物，其特征在于，主要组分包括季铵类氢氧化物、水溶性链烷醇胺、水溶性有机极性溶剂和具有环己基的酯类化合物。

具有环己基的脂类化合物水解生成小分子的有机酸或者具有环己基的有机酸，上述有机酸均能中和氢氧根，而且酯水解平衡使得水洗液趋于中性，改善水洗液对于金属层特别是铝层的腐蚀。

优选的技术方案为，按重量百分比计，其组成包括季铵类氢氧化物1～10％、水溶性链烷醇胺10～30％、水溶性有机极性溶剂40～80％和具有环己基的酯类化合物3～25％。进一步优选的，其组成包括季铵类氢氧化物2～7％、水溶性链烷醇胺14～27％、水溶性有机极性溶剂45～70％和具有环己基的酯类化合物5～18％。

优选的技术方案为，具有环己基的酯类化合物为选自甲酸环己酯、乙酸环己酯、丙酸环己酯、2-甲基丙酸环己酯、巯基丙酸环己酯、环己甲酸甲酯、环己甲酸乙酯中的一种或两种以上的组合。甲酸环己酯、乙酸环己酯、丙酸环己酯、2-甲基丙酸环己酯、巯基丙酸环己酯水解生成环乙醇和小分子的甲酸、乙酸、丙酸、2-甲基丙酸和巯基丙酸；环己甲酸甲酯、环己甲酸乙酯水解生成环己甲酸和相应的甲醇、乙醇。上述的环己醇和环己甲烷均具有良好的水溶性，水洗后的基板表面洁净度良好。