[发明专利]三维存储器的沟道孔的形成方法

权利要求书

1.一种三维存储器的沟道孔的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有堆叠结构；

在所述堆叠结构上形成掩膜层；

刻蚀所述掩膜层至所述堆叠结构表面，在所述掩膜层内形成具有第一关键尺寸的第一图形；

形成覆盖所述掩膜层的顶部表面、所述第一图形侧壁和底部表面的保护材料层，以形成具有第二关键尺寸的第二图形，所述第二关键尺寸小于所述第一关键尺寸；

在所述掩膜层顶部表面的部分保护材料层上形成阻挡层，去除位于所述第二图形底部的保护材料层，残留的所述保护材料层形成保护层，所述堆叠结构对所述保护层的刻蚀选择性大于所述堆叠结构对所述掩膜层的刻蚀选择性；以所述掩膜层及所述保护层作为掩膜，刻蚀所述堆叠结构至所述衬底，形成沟道孔，所述第一关键尺寸大于形成的所述沟道孔的尺寸。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的沟道孔的形成方法，其特征在于，所述保护层还覆盖所述掩膜层的顶部表面。

3.根据权利要求2所述的三维存储器的沟道孔的形成方法，其特征在于，所述保护层的形成方法包括：在所述掩膜层顶部表面以及第一图形侧壁和底部表面形成保护材料层，形成所述第二图形；在所述掩膜层顶部表面的部分保护材料层上形成阻挡层；去除所述第二图形底部的保护材料层和所述阻挡层，形成覆盖所述掩膜层顶部表面以及第一图形侧壁表面的所述保护层。

4.根据权利要求3所述的三维存储器的沟道孔的形成方法，其特征在于，采用原子沉积工艺形成所述保护材料层。

5.根据权利要求3所述的三维存储器的沟道孔的形成方法，其特征在于，所述阻挡层为含碳氟聚合物。

6.根据权利要求3所述的三维存储器的沟道孔的形成方法，其特征在于，在形成所述阻挡层的过程中，不在所述第二图形的侧壁形成所述阻挡层。

7.根据权利要求1所述的三维存储器的沟道孔的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为多晶硅、TiN或者TaN。

8.根据权利要求3所述的三维存储器的沟道孔的形成方法，其特征在于，所述去除第二图形底部的保护材料层时，采用的刻蚀气体包括Cl₂、CHF₃和NF₃的混合气体。

9.根据权利要求1所述的三维存储器的沟道孔的形成方法，其特征在于，所述第一关键尺寸范围为90nm～150nm，所述第二关键尺寸范围为80nm～130nm。

10.根据权利要求1所述的三维存储器的沟道孔的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为无定型碳。