[发明专利]一种镀膜设备及镀膜方法

权利要求书

1.一种镀膜设备，其特征在于，所述镀膜设备包括相连接的第一沉积腔室和第二沉积腔室，其中：

所述第一沉积腔室和第二沉积腔室均包括至少一排非金属蒸发源，每一排所述非金属蒸发源对应至少两排金属蒸发源，在每一排所述非金属蒸发源对应的金属蒸发源中，至少两排金属蒸发源相对于该排非金属蒸发源对称设置；

其中，第二沉积腔室中每排金属蒸发源的总数量为6个。

2.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，

所述第一沉积腔室的金属蒸发源设置在第一沉积腔室的底部，所述第一沉积腔室的金属蒸发源包括Ga蒸发源和In蒸发源；所述第一沉积腔室的非金属蒸发源包括Se蒸发源；

和/或

所述第二沉积腔室的金属蒸发源设置在第二沉积腔室的底部，所述第二沉积腔室的金属蒸发源包括Cu蒸发源、In蒸发源和Ga蒸发源；所述第二沉积腔室的非金属蒸发源包括Se蒸发源。

3.根据权利要求2所述的镀膜设备，其特征在于，

所述第一沉积腔室的底部包括相对设置的两侧，每一侧设置有至少一排金属蒸发源，且每排金属蒸发源的总数量为M个，其中，M为大于等于2且小于等于7的整数；所述第一沉积腔室的每排非金属蒸发源的总数量为N个，其中，N为大于等于3小于等于9的整数；

和/或

所述第二沉积腔室的底部包括相对设置的两侧，每一侧设置有至少一排金属蒸发源；所述第二沉积腔室的每排非金属蒸发源的总数量为Y个，其中，Y为大于等于7小于等于15的整数。

4.根据权利要求3所述的镀膜设备，其特征在于，

所述第一沉积腔室的每排金属蒸发源沿所述第一沉积腔室长度方向的排布顺序依次为：

In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源；或

Ga蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源；或

In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源；或

Ga蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，In蒸发源；或

Ga蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源；或

In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源；或

Ga蒸发源，In蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源；或

In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，Ga蒸发源；

和/或

所述第二沉积腔室的每排金属蒸发源沿所述第二沉积腔室长度方向的排布顺序依次为：

Cu蒸发源、Ga蒸发源、Cu蒸发源、Cu蒸发源、In蒸发源、Ga蒸发源；或

Cu蒸发源、Cu蒸发源、In蒸发源、Cu蒸发源、Ga蒸发源、In蒸发源；或

In蒸发源、Cu蒸发源、Cu蒸发源、Ga蒸发源、In蒸发源、Ga蒸发源；或

In蒸发源、Cu蒸发源、Cu蒸发源、Cu蒸发源、Ga蒸发源、In蒸发源；或

Cu蒸发源、In蒸发源、Cu蒸发源、Cu蒸发源、In蒸发源、Ga蒸发源；或

Cu蒸发源、In蒸发源、Ga蒸发源、Cu蒸发源、Cu蒸发源、In蒸发源；或

In蒸发源、Ga蒸发源、In蒸发源、Cu蒸发源、Cu蒸发源、Ga蒸发源；或

Cu蒸发源、In蒸发源、Cu蒸发源、Cu蒸发源、Ga蒸发源、In蒸发源。

5.根据权利要求3所述的镀膜设备，其特征在于，

所述第一沉积腔室的每排相邻两个金属蒸发源之间具有间隙；当所述第一沉积腔室的每一侧金属蒸发源为多排时，多排金属蒸发源对齐或交错设置；

所述第一沉积腔室的每排相邻两个非金属蒸发源之间具有间隙；当所述第一沉积腔室的非金属蒸发源为多排时，多排非金属蒸发源对齐或交错设置；

和/或

所述第二沉积腔室的每排相邻两个金属蒸发源之间具有间隙；当所述第二沉积腔室的每一侧金属蒸发源为多排时，多排金属蒸发源对齐或交错设置；

所述第二沉积腔室的每排相邻两个非金属蒸发源之间具有间隙；当所述第二沉积腔室的非金属蒸发源为多排时，多排非金属蒸发源对齐或交错设置。