[发明专利]一种镀膜设备及镀膜方法

说明书

本发明提供一种镀膜设备及镀膜方法，镀膜设备包括相连接的第一沉积腔室和第二沉积腔室，所述第一沉积腔室和第二沉积腔室均包括至少一排非金属蒸发源，每一排非金属蒸发源对应至少两排金属蒸发源，在每一排非金属蒸发源对应的金属蒸发源中，至少两排金属蒸发源相对于该排非金属蒸发源对称设置；其中，第二沉积腔室中的每排金属蒸发源的总数量为6个。本发明可生成厚度均匀、性能良好的CIGS薄膜，有效提高了太阳能电池的发电效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池衬底的镀膜技术领域，尤其涉及一种镀膜设备及镀 膜方法。

背景技术

薄膜太阳能电池将光能转化为电能，只要是有光，便可完成由光能到电能 的转化，为用户的使用提供了很大的便利，尤其是户外运动者，即使长时间呆 在户外，也无需考虑需找地方为用电设备充电的问题。

现有技术中，主要采用磁控溅射的方法在基板上形成CIGS薄膜，以形成 太阳能电池，该方法主要是利用气体放电产生的正离子在电场的作用下高速运 动进而轰击作为阴极的靶，使作为阴极的靶中的原子或分子逃逸出来进而沉淀 到基板的表面，以在基板上形成可将太阳能转化为电能的薄膜。采用该磁控溅 射方法形成的薄膜与基板有较好的附着性，且形成的薄膜的密度较高。

然而，磁控溅射方法是采用环状磁场控制下的辉光放电，其成膜速率差且 磁控溅射的设备需要高压装置，导致设备复杂昂贵，不利于大规模生产太阳能 电池。除此之外，通过磁控溅射形成的CIGS薄膜厚度不均匀，质量较差，由 此导致太阳能电池的性能较差，发电效率较低。

发明内容

本发明实施例提供一种镀膜设备及镀膜方法，以解决现有技术中通过磁控 溅射法形成的CIGS薄膜厚度不均匀、性能差，造成太阳能电池发电效率低的 的技术问题。

第一方面，本发明提供一种镀膜设备，所述镀膜设备包括相连接的第一沉 积腔室和第二沉积腔室，其中：

所述第一沉积腔室和第二沉积腔室均包括至少一排非金属蒸发源，每一排 所述非金属蒸发源对应至少两排金属蒸发源，在每一排所述非金属蒸发源对应 的金属蒸发源中，至少两排金属蒸发源相对于该排非金属蒸发源对称设置；其 中，第二沉积腔室中每排金属蒸发源的总数量为6个。

可选地，所述第一沉积腔室的金属蒸发源设置在第一沉积腔室的底部，所 述第一沉积腔室内的金属蒸发源包括Ga蒸发源和In蒸发源；所述第一沉积腔 室内的非金属蒸发源包括Se蒸发源；

和/或

所述第二沉积腔室的金属蒸发源设置在第二沉积腔室的底部，所述第二沉 积腔室内的金属蒸发源包括Cu蒸发源、In蒸发源和Ga蒸发源；所述第二沉 积腔室内的非金属蒸发源包括Se蒸发源。

在第一沉积腔室和第二沉积腔室的两侧且位于衬底下方对称设置金属蒸 发源，能够使得镀膜更加均匀，电性能和结晶性能更好。

可选地，上述的镀膜设备，所述第一沉积腔室的底部包括相对设置的两侧， 每一侧设置有至少一排金属蒸发源，且每排金属蒸发源的总数量为M个，其 中，M为大于等于2且小于等于7的整数；所述第一沉积腔室的每排非金属蒸 发源的总数量为N个，其中，N为大于等于3小于等于9的整数；

和/或

所述第二沉积腔室的底部包括相对设置的两侧，每一侧设置有至少一排金 属蒸发源；所述第二沉积腔室的每排非金属蒸发源的总数量为Y个，其中，Y 为大于等于7小于等于15的整数。

可选地，所述第一沉积腔室的每排金属蒸发源沿所述第一沉积腔室长度方 向的排布顺序依次为：

In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源；或

Ga蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源；或

In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源；或