[发明专利]与热再分布图案有关的半导体封装有效
申请号: | 201811305801.3 | 申请日: | 2018-11-05 |
公开(公告)号: | CN109786342B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 李大雄 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王小东;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 再分 图案 有关 半导体 封装 | ||
本发明提供与热再分布图案有关的半导体封装。半导体封装可以包括布置在封装基板上的第一半导体芯片、第二半导体芯片以及热再分布图案。所述热再分布图案可以包括:第一端部,该第一端部设置在与所述第一半导体芯片相邻的高温区域中;第二端部,该第二端部布置在与所述第二半导体芯片相邻的低温区域中;以及延伸部,该延伸部将所述第一端部连接到所述第二端部。
技术领域
本公开总体涉及半导体封装技术,并且更具体地涉及与热再分布图案有关的半导体封装。
背景技术
已经研发出多芯片封装(MCP)以将各种类型的半导体芯片集成到单个封装中。嵌入每个MCP中的各种类型的半导体芯片可以具有不同的功能。已经提出MCP中的系统级封装(SiP)以提供高性能封装。每个SiP均可以构造成包括逻辑芯片以及至少一个存储器芯片。
由于每个MCP均采用各种类型的半导体芯片,因此MCP表现出不好的热特性。即,每个MCP中采用的各种半导体芯片可能消耗不同的电功率。因此,由每个MCP中的半导体芯片产生的热量也可能彼此不同。与消耗相对低的电功率的低功率半导体芯片相比,消耗相对高的电功率的高功率半导体芯片可能产生相对大量的热量。由高功率半导体芯片产生的热量可能局部积聚在MCP的特定区域中。因此,MCP的该特定区域可能被过度加热而提供高温区域。高温区域可能会降低MCP中的半导体芯片的特性。
发明内容
根据一个实施方式,可以提供一种半导体封装。该半导体封装可以包括布置在封装基板上的第一半导体芯片、第二半导体芯片以及热再分布图案。所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片可以彼此间隔开。所述热再分布图案可以包括布置在与所述第一半导体芯片相邻的高温区域中的第一端部、布置在与所述第二半导体芯片相邻的低温区域中的第二端部以及将所述第一端部连接到所述第二端部的延伸部。
根据一个实施方式,可以提供一种半导体封装。该半导体封装可以包括布置在封装基板上的第一半导体芯片、第二半导体芯片以及热再分布图案。所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片可以彼此间隔开。所述热再分布图案可以包括布置在与所述第一半导体芯片相邻的高温区域中的第一端部、布置在与所述第二半导体芯片相邻的低温区域中的第二端部以及多个子延伸部,这些子延伸部沿所述第一端部与所述第二端部之间的路径排列,所述多个子延伸部彼此间隔开。
根据一个实施方式,可以提供一种半导体封装。该半导体封装包括布置在封装基板上的第一半导体芯片与第二半导体芯片,并且所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片彼此间隔开。所述半导体封装可以包括热再分布图案,该热再分布图案包括邻近所述第一半导体芯片布置的第一端部、邻近所述第二半导体芯片布置的第二端部以及连接到所述第一端部和所述第二端部的延伸部,并且所述延伸部构造成减少当从所述第一端部向所述第二端部传递时的热传递瓶颈现象。
附图说明
图1是示出根据一个实施方式的半导体封装的平面图。
图2是沿图1中的线A1-A2与A3-A4剖取的合并截面图。
图3是示出根据一个实施方式的半导体封装的平面图。
图4至图6示出了各种半导体封装中的热分布。
图7是示出根据一个实施方式的半导体封装的平面图。
图8是沿图7的A5-A6线剖取的截面图。
图9是示出根据一个实施方式的半导体封装的平面图。
图10是示出采用包括根据一个实施方式的半导体封装的存储卡的电子系统的框图。
图11是示出包括根据一个实施方式的半导体封装的电子系统的框图。
具体实施方式
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