[发明专利]存储装置在审
申请号: | 201811306234.3 | 申请日: | 2018-11-05 |
公开(公告)号: | CN110021328A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 李汉埈;金承范;朴一汉 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G11C8/08 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 字线 存储单元 劣化 存储装置 读取电压 水平检测电路 电压发生器 改变提供 检测 | ||
1.一种存储装置,所述存储装置包括:
电压发生器,所述电压发生器向选定的字线提供读取电压并向多条未选定的字线提供通过电压,其中,所述选定的字线和所述未选定的字线连接到多个存储单元;以及
劣化水平检测电路,所述劣化水平检测电路基于接收到所述读取电压的存储单元的数据来检测连接到所述选定的字线的存储单元的劣化水平,
其中,连接到所述选定的字线的存储单元和接收到所述读取电压的存储单元包括在所述多个存储单元中,
其中,所述电压发生器基于所述劣化水平来改变提供给所述未选定的字线的所述通过电压。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述劣化水平检测电路通过基于接收到所述读取电压的所述存储单元的数据对与所述读取电压相对应的接通单元和关断单元中的至少一者进行计数,来确定接收到所述读取电压的所述存储单元的阈值电压的变化。
3.根据权利要求2所述的存储装置,其中,所述劣化水平检测电路基于接收到所述读取电压的所述存储单元的所述阈值电压的变化来检测所述劣化水平。
4.根据权利要求2所述的存储装置,其中,所述电压发生器基于所述阈值电压的变化来改变所述通过电压。
5.根据权利要求4所述的存储装置,其中,所述电压发生器响应于所述阈值电压的变化而减小所述通过电压。
6.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述电压发生器顺序地多次提供所述读取电压以读取位页面,并且在施加在后读取电压的时间段内提供已经基于多个读取电压中的先前读取电压而改变的通过电压。
7.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述电压发生器顺序地多次提供所述读取电压以读取包括第一多个位页面的页面,并且在在后的位页面的读取操作时提供已经基于在第二多个位页面中的先前的位页面中检测到的劣化水平而改变了的通过电压。
8.一种存储装置,所述存储装置包括:
电压发生器,所述电压发生器向选定的字线提供读取电压并向多条未选定的字线提供通过电压,其中,所述选定的字线和所述未选定的字线连接到多个存储单元;
虚拟电压供应单元,所述虚拟电压供应单元在所述读取电压被提供给所述选定的字线之前向所述选定的字线提供虚拟电压;
劣化水平检测电路,所述劣化水平检测电路基于接收到所述虚拟电压的存储单元的数据来检测连接到所述选定的字线的存储单元的劣化水平,
其中,连接到所述选定的字线的存储单元和接收到所述虚拟电压的存储单元包括在所述多个存储单元中;以及
通过电压改变电路,所述通过电压改变电路基于所述劣化水平来改变提供给所述未选定的字线的所述通过电压。
9.根据权利要求8所述的存储装置,其中,所述虚拟电压供应单元在单个页面的多个位页面中的每个位页面的读取操作之前多次提供所述虚拟电压。
10.根据权利要求8所述的存储装置,其中,所述虚拟电压供应单元在单个页面的读取操作之前提供所述虚拟电压。
11.根据权利要求8所述的存储装置,其中,所述劣化水平检测电路基于接收到所述虚拟电压的所述存储单元的阈值电压的变化来检测所述劣化水平。
12.根据权利要求11所述的存储装置,其中,所述通过电压改变电路响应于所述阈值电压的变化而减小所述通过电压。
13.根据权利要求8所述的存储装置,其中,所述通过电压改变电路在施加所述读取电压的时间段内提供已经改变的通过电压。
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