[发明专利]存储装置

说明书

提供了一种存储装置，所述存储装置包括：向选定的字线提供读取电压并向多条未选定的字线提供通过电压的电压发生器；以及劣化水平检测电路。所述选定的字线和所述未选定的字线连接到多个存储单元。所述劣化水平检测电路基于接收到所述读取电压的存储单元的数据来检测连接到所述选定的字线的存储单元的劣化水平。连接到所述选定的字线的存储单元和接收到所述读取电压的存储单元包括在所述多个存储单元中。所述电压发生器基于所述劣化水平来改变提供给所述未选定的字线的所述通过电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年1月10日提交的韩国专利申请No.10-2018-0003475的优先权，其公开内容通过引用全部并入本文。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及一种存储装置。

背景技术

半导体存储装置可以分类为易失性半导体存储装置和非易失性半导体存储装置。易失性半导体存储装置在读取和写入方面是快速的，但是局限性在于当切断电源时存储的数据丢失。相比之下，非易失性半导体存储装置在电源中断时保存存储在其中的数据。因此，非易失性半导体存储装置用于存储需要保存的数据。

闪存装置是非易失性存储装置的示例。闪存装置已广泛用于诸如下述设备的信息设备的语音和图像数据存储介质中：例如计算机、移动电话、智能电话、个人数字助理(PDA)、数码相机、便携式摄像机、录音机、MP3播放器、手持式PC、游戏机、传真机、扫描仪和打印机。近来，已经积极地研究了安装在诸如智能电话的移动设备上的非易失性存储装置的大容量、高速输入/输出和低功耗技术。

发明内容

本发明构思的示例性实施例提供了一种基于连接到选定的字线的存储单元的阈值电压的劣化水平来改变提供给未选定的字线的通过电压的存储装置。

根据本发明构思的示例性实施例，一种存储装置包括：向选定的字线提供读取电压并向多条未选定的字线提供通过电压的电压发生器；以及劣化水平检测电路。所述选定的字线和所述未选定的字线连接到多个存储单元。所述劣化水平检测电路基于接收到所述读取电压的存储单元的数据来检测连接到所述选定的字线的存储单元的劣化水平。连接到所述选定的字线的存储单元和接收到所述读取电压的存储单元包括在所述多个存储单元中。所述电压发生器基于所述劣化水平来改变提供给所述未选定的字线的所述通过电压。

根据本发明构思的示例性实施例，一种存储装置包括电压发生器、虚拟电压供应单元、劣化水平检测单元和通过电压改变单元。所述电压发生器向选定的字线提供读取电压并向多条未选定的字线提供通过电压。所述选定的字线和所述未选定的字线连接到多个存储单元。所述虚拟电压供应单元在所述读取电压被提供给所述选定的字线之前向所述选定的字线提供虚拟电压。所述劣化水平检测电路基于接收到所述虚拟电压的存储单元的数据来检测连接到所述选定的字线的存储单元的劣化水平。连接到所述选定的字线的存储单元和接收到所述虚拟电压的存储单元包括在所述多个存储单元中。所述通过电压改变电路基于所述劣化水平来改变提供给所述未选定的字线的所述通过电压。

根据本发明构思的示例性实施例，一种存储装置包括存储单元阵列和通过电压改变电路。所述存储单元阵列包括多个页面。每个页面包括多个存储单元。所述通过电压改变电路基于连接到选定的字线的页面中所包括的存储单元的劣化水平而改变提供给连接到未选定的字线的页面的通过电压。连接到所述未选定的字线的页面和连接到所述选定的字线的页面包括在所述多个页面中。所述通过电压改变电路将已经改变的所述通过电压提供给连接到所述未选定的字线的页面中的至少一个页面。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上述和其他特征将变得更加明显，在附图中：

图1是根据本发明构思的示例性实施例的存储系统的示意性框图。

图2是根据本发明构思的示例性实施例的包括在图1的存储系统中的存储装置的详细框图。