[发明专利]集成在封装基板中薄膜无源器件在审

专利信息
申请号: 201811306765.2 申请日: 2018-11-05
公开(公告)号: CN109979914A 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: A·阿列克索夫;K·达尔马韦卡尔塔;S·加恩;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;S·R·派塔尔 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L21/60
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 导电触点 电介质层 嵌入式电容器 薄膜电介质 第一金属层 第二表面 第一表面 金属层 薄膜无源器件 第二金属层 导电耦合 封装基板
【权利要求书】:

1.一种封装基板,包括:

在第一表面上的一个或多个第一导电触点;

在与所述第一表面相对的第二表面上的一个或多个第二导电触点;

所述第一表面和所述第二表面之间的电介质层;以及

所述电介质层上的与所述第一导电触点中的一个导电耦合的嵌入式电阻器,其中,所述嵌入式电阻器包括所述电介质层的表面上的薄膜电阻材料,所述电介质层的所述表面上的第一金属层和第二金属层,所述第一金属层上的第三金属层,和所述第二金属层上的第四金属层,其中,所述第三金属层和所述第四金属层位于所述薄膜电阻材料的相对端上。

2.根据权利要求1所述的封装基板,其中,所述第三金属层和所述第四金属层包括在与所述薄膜电阻材料相对的侧上的倾斜表面。

3.根据权利要求2所述的封装基板,其中,所述第三金属层覆盖所述第一金属层和所述第一金属层与所述薄膜电阻材料之间的所述电介质层的表面,并且其中,所述第四金属层覆盖所述第二金属层和所述第二金属层与所述薄膜电阻材料之间的所述电介质层的表面。

4.根据权利要求2所述的封装基板,其中,所述薄膜电阻材料包括小于约70nm的厚度。

5.根据权利要求2所述的封装基板,其中,所述薄膜电阻材料包括钛。

6.根据权利要求2所述的封装基板,其中,所述第三金属层和所述第四金属层包括与所述倾斜表面相邻的平坦表面。

7.根据权利要求6所述的封装基板,其中,所述第三金属层和所述第四金属层的平坦表面是共面的。

8.根据权利要求7所述的封装基板,其中,所述第三金属层和所述第四金属层的平坦表面至少部分地被第二电介质层覆盖。

9.一种系统,包括:

处理器;

通信接口;以及

集成电路器件封装,所述集成电路器件封装包括:

集成电路器件,与第一基板表面上的一个或多个第一导电触点耦合;

与所述第一基板表面相对的第二基板表面上的一个或多个第二导电触点;

所述第一基板表面和所述第二基板表面之间的电介质层;以及

所述电介质层上的与所述集成电路器件导电耦合的嵌入式电阻器,其中,所述嵌入式电阻器包括在所述电介质层的表面上的薄膜电阻材料,所述电介质层的所述表面上的第一金属层和第二金属层,所述第一金属层上的第三金属层,和所述第二金属层上的第四金属层,其中,所述第三金属层和所述第四金属层位于所述薄膜电阻材料的相对端上。

10.根据权利要求9所述的系统,其中,所述第三金属层和所述第四金属层包括在与所述薄膜电阻材料相对的侧上的倾斜表面。

11.根据权利要求10所述的系统,其中,所述第三金属层覆盖所述第一金属层和所述第一金属层与所述薄膜电阻材料之间的所述电介质层的表面,并且其中,所述第四金属层覆盖所述第二金属层和所述第二金属层与所述薄膜电阻材料之间的所述电介质层的表面。

12.根据权利要求10所述的系统,其中,所述薄膜电阻材料包括小于约70nm的厚度。

13.根据权利要求10所述的系统,其中,所述薄膜电阻材料包括钛。

14.根据权利要求10所述的系统,其中,所述第三金属层和所述第四金属层包括与所述倾斜表面相邻的平坦表面。

15.根据权利要求14所述的系统,其中,所述第三金属层和所述第四金属层的平坦表面是共面的。

16.根据权利要求15所述的系统,其中,所述第三金属层和所述第四金属层的平坦表面至少部分地被第二电介质层覆盖。

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