[发明专利]电子封装件

说明书

一种电子封装件，包括：具有电性接触垫的承载结构、设于该承载结构上的电子元件、形成于该承载结构与该电子元件之间的包覆层、以及形成于该承载结构上并环绕该电子元件的止挡部，以经由该止挡部的设计，止挡该包覆层溢流至该电性接触垫，避免该包覆层污损该电性接触垫。

技术领域

本发明有关一种封装制程，尤指一种能防止线路污损的电子封装件。

背景技术

随着半导体封装技术的演进，半导体装置(Semiconductor device)已开发出不同的封装型态，而为提升电性功能及节省封装空间，业界遂发展出堆叠多个封装结构以形成封装堆叠结构(Package on Package，简称POP)的封装型态，此种封装型态能发挥系统封装(SiP)异质整合特性，可将不同功用的电子元件，例如：存储器、中央处理器、绘图处理器、影像应用处理器等，经由堆叠设计达到系统的整合，而适用于各种轻薄短小型电子产品。

图1为悉知封装堆叠结构1的剖面示意图。如图1所示，该封装堆叠结构1包含有半导体元件11、第一封装基板10、第二封装基板12、多个支撑焊球13、电子装置16(如存储器芯片或存储器封装结构)以及封装胶体18。该半导体元件11以覆晶方式将其电极垫110结合多个导电凸块15设于该第一封装基板10的第一电性接触垫101上，并形成底胶14于该第一封装基板10与该半导体元件11之间，以包覆该些导电凸块15，且该电子装置16也以覆晶方式设于该第二封装基板12上。该些支撑焊球13用以连结且电性耦接该第一封装基板10的第二电性接触垫102与该第二封装基板12的接点120。该封装胶体18包覆该些支撑焊球13、该底胶14与该半导体元件11。另该第一封装基板10下侧形成多个焊锡球19，以接置一电路板(图未示)。

目前第一封装基板10中，该些第一电性接触垫101与该些第二电性接触垫102位于该第一封装基板10的同一平面上且相邻配置。

然而，由于在目前对电子产品皆要求轻薄短小的情形下，使该些第一电性接触垫101(或该电子元件11)与该些第二电性接触垫102(或该支撑焊球13)之间的距离t极小(约160μm以下)，故当该半导体元件11经由该些导电凸块15设于该些第一电性接触垫101上，并以底胶14包覆该些导电凸块15时，该底胶14容易溢流至该第二电性接触垫102而污损该第二电性接触垫102，导致该第二电性接触垫102于后续制程中无法顺利接合该支撑焊球13。

因此，如何克服悉知技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述悉知技术的缺失，本发明提供一种电子封装件，以避免包覆层污损电性接触垫。

本发明的电子封装件，包括：承载结构，其具有相对的第一侧与第二侧，且该第一侧具有相互分离的多个第一电性接触垫与多个第二电性接触垫；电子元件，其设于该承载结构的第一侧上且电性连接该些第一电性接触垫；包覆层，其形成于该承载结构的第一侧与该电子元件之间；以及止挡部，其形成于该承载结构的第一侧并位于该第一电性接触垫与该第二电性接触垫之间。

所述的电子封装件中，该第一电性接触垫或该第二电性接触垫上形成有金属部。例如，该止挡部与该金属部的构成材料为相同。该止挡部相对于该承载结构第一侧的高度与该金属部相对于该承载结构第一侧的高度为相同。

所述的电子封装件中，该第二电性接触垫上形成有导电体。例如，该止挡部位于该电子元件与该导电体之间。该导电体包含焊锡凸块或金属柱。该电子元件的至少一侧面与该导电体之间的最短距离为至多160微米。

所述的电子封装件中，该第一电性接触垫与该第二电性接触垫之间的最短距离为至多160微米。

所述的电子封装件中，该电子元件经由导电凸块结合及电性连接该第一电性接触垫。例如，该包覆层包覆该导电凸块。

所述的电子封装件中，该包覆层为底胶。

所述的电子封装件中，该止挡部未电性连接该承载结构。