[发明专利]闪存器的数据读取方法及装置、存储设备及存储介质

权利要求书

1.一种闪存器的数据读取方法，其特征在于，包括：

在读取周期的干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第一电压；

在所述读取周期的读取阶段，向所述闪存器选择的字线施加读取数据的第二电压；

所述在读取周期的干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第一电压，包括：

在位于所述读取阶段之前的第一干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第一子电压；在位于所述读取阶段之后的第二干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第二子电压；所述第一电压包括所述第一子电压和所述第二子电压；

或者，

在位于所述读取阶段之后的第二干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第二子电压；所述第一电压包括所述第二子电压；

所述第一子电压和所述第二子电压均高于所述第二电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在读取周期的干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第一电压，包括：

在所述第一干扰抑制阶段，通过升压使得施加在选择的字线上的电压达到所述第一子电压；在维持所述第一子电压的时长达到第一时长之后，通过降压使得施加在选择的字线上的电压下降到所述第二电压，以进入所述读取阶段；通过升压使得施加在选择的字线上的所述第二电压上升到第二子电压，以从所述读取阶段进入所述第二干扰抑制阶段，并维持所述第二子电压达到第二时长后，通过降压进行电压恢复；

或者，

在所述第二干扰抑制阶段，通过升压使得施加在选择的字线上的所述第二电压上升到第二子电压，以从所述读取阶段进入所述第二干扰抑制阶段，并维持所述第二子电压达到第二时长后，通过降压进行电压恢复。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

一个所述干扰抑制阶段的时长与一个所述读取阶段的时长比值为：1：N；N为大于1。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述时长比值中N的取值区间为：1.5至6。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

从第一模式和第二模式中选择目标读取模式；

所述在读取周期的干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第一电压，包括：

若所述目标读取模式为所述第一模式，在读取周期的干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第一电压。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述从第一模式和第二模式中选择目标读取模式，包括：

根据所述闪存器的状况参数，从所述第一模式和所述第二模式中选择目标读取模式。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述根据所述闪存器的状况参数，从所述第一模式和所述第二模式中选择目标读取模式，包括以下至少之一：

根据所述闪存器的当前读取负载状况，从所述第一模式和所述第二模式中选择目标读取模式；

根据读取的存储页或存储块的读取次数，从所述第一模式和所述第二模式中选择目标读取模式；

根据读取数据的读取速率要求，从所述第一模式和所述第二模式中选择目标读取模式。