[发明专利]闪存器的数据读取方法及装置、存储设备及存储介质

说明书

本发明实施例公开了一种闪存器的数据读取方法及装置、存储设备及存储介质。所述方法包括：在读取周期的干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第一电压；在所述读取周期的读取阶段，向所述闪存器选择的字线施加读取数据的第二电压。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种闪存器的数据读取方法及装置、存储设备及存储介质。

背景技术

闪存器是一种具有数据记忆功能的非易失性存储器。闪存器的读写可以是以页为单位进行的。由于闪存器存储容量大的特点，大量的应用各种电子设备。所述闪存器按照其存储阵列的堆叠状况，可以分为二维的2D闪存器和三维的3D闪存器。

在应用过程中发现一些数据写入存储单元之后，经过多次读写会比较快的数据记忆错误，且在一些情况下这种数据记忆错误是无法通过存储校正的方式校正的不可修复错误。故如何减缓这种数据记忆错误的出现和/或减少不可修复错误的出现，是亟待解决的问题之一。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例期望提供一种闪存器的数据读取方法及装置、存储设备及存储介质。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种闪存器的数据读取方法，包括：

在读取周期的干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第一电压；

在所述读取周期的读取阶段，向所述闪存器选择的字线施加读取数据的第二电压。

基于上述方案，所述在读取周期的干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第一电压，包括以下至少之一：

在位于所述读取阶段的第一干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第一子电压；

在位于所述读取阶段之后的第二干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第二子电压。

基于上述方案，所述在读取周期的干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第一电压，包括以下至少之一：

在所述第一干扰抑制阶段，通过升压使得施加在选择的字线上的电压达到所述第一子电压；在维持所述第一子电压的时长达到第一时长之后，通过降压使得施加在选择的字线上的电压下降到所述第二电压，以进入所述读取阶段；

通过升压使得施加在选择的字线上的所述第二电压上升到第二子电压，以从所述读取阶段进入所述第二干扰抑制阶段，并维持所述第二子电压达到第二时长后，通过降压进行电压恢复。

基于上述方案，所述第二电压小于所述第一电压。

基于上述方案，一个所述干扰抑制阶段的时长与一个所述读取阶段的时长比值为：1：N；N为大于1。

基于上述方案，所述时长比值的取值区间为：1.5至6。

基于上述方案，所述方法还包括：

从第一模式和第二模式中选择目标读取模式；

所述在读取周期的干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第一电压，包括：

若所述目标读取模式为所述第一模式，在读取周期的干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加减少读取干扰的第一电压。

基于上述方案，所述从第一模式和第二模式中选择目标读取模式，包括：

根据所述存储器的状况参数，从所述第一模式和所述第二模式中选择目标读取模式。

基于上述方案，所述根据所述存储器的状况参数，从所述第一模式和所述第二模式中选择目标读取模式，包括以下至少之一：