[发明专利]包括电容器的半导体存储器件

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

存储单元阵列，形成在衬底的第一区域中；以及

页缓冲器电路，形成在所述衬底的第二区域中，并且通过位线连接到所述存储单元阵列，

其中所述存储单元阵列包括单元串，所述单元串的每个包括沿垂直于所述衬底的方向堆叠的非易失性存储单元，

其中所述页缓冲器电路包括分别对应于所述位线的页缓冲器，

其中所述页缓冲器的每个包括：

连接到感测节点的锁存器；以及

选择电路，配置为将所述感测节点选择性地连接到所述位线中的对应位线，

其中所述锁存器中的至少一个锁存器包括配置为选择性地存储所述感测节点的电压的电容器，

其中所述电容器包括：

至少一个第一接触，所述感测节点的所述电压被选择性地供应到所述至少一个第一接触，所述至少一个第一接触具有与所述单元串的每个的第一高度对应的第二高度；以及

至少一个第二接触，地电压被供应到所述至少一个第二接触，所述至少一个第二接触具有与所述第一高度对应的第三高度，与所述至少一个第一接触相邻设置，并且与所述至少一个第一接触电隔离，

其中所述至少一个第一接触包括两个或更多个第一接触，并且所述电容器还包括连接所述两个或更多个第一接触的导电图案，以及

其中所述导电图案设置在所述两个或更多个第一接触的上表面上。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述导电图案以及使所述导电图案与所述衬底绝缘的绝缘材料设置在所述两个或更多个第一接触的下表面与所述衬底之间。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述电容器还包括：

至少一个第三接触，设置在所述至少一个第一接触的第一侧，所述第一侧与所述至少一个第一接触的面对所述至少一个第二接触的第二侧相反。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中电连接所述至少一个第二接触和所述至少一个第三接触的第一结设置在所述衬底中，以及

其中所述至少一个第一接触设置于在所述第一结上设置的绝缘材料上。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器件，其中具有比所述第一结的掺杂浓度高的掺杂浓度的第二结分别设置在所述第一结的第一部分中以及在所述第一结的第二部分中，所述第一结的所述第一部分接触所述至少一个第二接触，所述第一结的所述第二部分接触所述至少一个第三接触。

6.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中所述至少一个第三接触连接到配置为向所述页缓冲器的每个的所述锁存器供电的另一导电图案。

7.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中所述电容器还包括：

至少一个第四接触和至少一个第五接触，设置在除所述至少一个第一接触的所述第一侧和所述第二侧以外的所述至少一个第一接触的相应侧。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器件，其中所述至少一个第二接触包括：

两个或更多个第二接触，从第一位置到第二位置设置成直线，所述第一位置靠近此处设置所述至少一个第四接触的位置，所述第二位置邻近此处设置所述至少一个第五接触的位置。

9.根据权利要求7所述的非易失性存储器件，其中所述电容器还包括：

至少一个第六接触、至少一个第七接触、至少一个第八接触和至少一个第九接触，分别设置于与所述至少一个第一接触在对角线方向上的角对应的位置处。