[发明专利]HIT电池及其金属栅线印刷方法

权利要求书

1.一种HIT电池，其特征在于，包括：

两层导电薄膜，两层所述导电薄膜呈相对设置，两层所述导电薄膜相互远离的端面为形成面，两层所述导电薄膜的形成面上均形成有印刷区域，其中，至少一所述导电薄膜的印刷区域内至少部分设有多个凹槽；以及，

两层金属栅线，分别印刷形成至两层所述导电薄膜的印刷区域。

2.如权利要求1所述的HIT电池，其特征在于，所述导电薄膜的厚度为H1，所述凹槽的平均深度为H2，且0＜H2/H1≤0.8。

3.如权利要求2所述的HIT电池，其特征在于，0.5≤H2/H1≤0.7。

4.如权利要求1所述的HIT电池，其特征在于，所述导电薄膜的材质为氧化锌、二氧化锡、氧化铟、二氧化钛、锡酸镉、锡酸锌中的一种。

5.如权利要求1所述的HIT电池，其特征在于，还包括：

单晶硅片；

两层本征非晶硅层，分别形成于所述单晶硅片的两个端面上；

P型非晶硅层，形成于其中之一所述本征非晶硅层的端面上，且所述P型非晶硅层的端面上形成有一所述导电薄膜；以及，

N型非晶硅层，形成于另一所述本征非晶硅层的端面上，且所述N型非晶硅层的端面上形成有另一所述导电薄膜。

6.一种HIT电池金属栅线印刷方法，其特征在于，包括以下步骤：

在HIT电池的非晶硅层上形成导电薄膜；

处理所述导电薄膜，以使所述导电薄膜的印刷区域至少部分形成凹槽；

将金属栅线印刷至所述印刷区域。

7.如权利要求6所述的HIT电池金属栅线印刷方法，其特征在于，所述处理所述导电薄膜，以使所述导电薄膜的印刷区域至少部分形成凹槽的步骤中：

处理所述导电薄膜的方式为激光加工、机械加工、化学处理中的一种。

8.如权利要求7所述的HIT电池金属栅线印刷方法，其特征在于，处理所述导电薄膜的方式为激光加工，所述激光加工过程中采用的是飞秒激光器。

9.如权利要求6所述的HIT电池金属栅线印刷方法，其特征在于，所述在HIT电池的非晶硅层上形成导电薄膜的步骤包括：

在单晶硅片的两个相对端面上分别形成两层本征非晶硅层；

在其中之一所述本征非晶硅层上形成P型非晶硅层；

在另一所述本征非晶硅层上形成N型非晶硅层；

在所述P型非晶硅层及所述N型非晶硅层分别上形成导电薄膜。