[发明专利]HIT电池及其金属栅线印刷方法

说明书

本发明公开一种HIT电池及其金属栅线印刷方法，其中，所述HIT电池包括两层导电薄膜及两层金属栅线，两层所述导电薄膜呈相对设置，两个所述导电薄膜相互远离的端面为形成面，两个所述导电薄膜的形成面上均形成有印刷区域，其中，至少一所述导电薄膜的印刷区域内至少部分设有多个凹槽，两层所述金属栅线分别印刷形成至两个所述导电薄膜的印刷区域。增加了设有凹槽处的印刷区域的粗糙程度，在印刷成形所述金属栅线时，提高了导电薄膜与金属栅线的结合强度，同时，增大了导电薄膜与金属栅线的接触面积，减小了接触电阻，降低HIT电池内阻消耗，提高HIT电池效率。

技术领域

本发明涉及HIT电池技术领域，特别涉及一种HIT电池及其金属栅线印刷方法。

背景技术

晶硅异质结电池英文缩写HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)，意为本征薄膜异质结，同时又被称为HJT或SHJ(Silicon Heterojunction solar cell)，本文以下称为HIT电池，其特点是再发射极和背面高浓度掺杂层与基片之间添加了一层本征非晶硅层，是单结晶硅和非晶型硅的混合太阳电池。HIT电池具有制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好等特点，是一种低价高效电池，HIT电池的转化效率高，意味着它更加具有可与传统的硅晶太阳能电池相匹敌的优势，但目前由于部分生产工艺不成熟和成本原因并未得到广泛应用。

HIT电池的生产工艺总共分为四个步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备，其中，电极制备是在电池表层的透明导电膜TCO表面通过丝网印刷出金属栅线，印刷材料为银浆，因为HIT电池采用低温生产工艺，并且沉积产生的透明导电膜TCO表面光滑，在金属电极制备中TCO膜和栅线结合强度较低。

现有技术中，为了增加导电膜TCO与栅线之间的结合强度，普遍在生产中采用了有别于常规电池所用的高粘度银浆，但高粘度浆料连续印刷存在稳定性的问题，浆料粘度大导致的虚印断栅现象较多，导致金属栅线成型质量较差。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种HIT电池及其金属栅线印刷方法，旨在增加导电薄膜与金属栅线之间的结合强度。

为实现上述目的，本发明提出的HIT电池，包括：

两层导电薄膜，两层所述导电薄膜呈相对设置，两层所述导电薄膜相互远离的端面为形成面，两层所述导电薄膜的形成面上均形成有印刷区域，其中，至少一所述导电薄膜的印刷区域内至少部分设有多个凹槽；以及，

两层金属栅线，分别印刷形成至两层所述导电薄膜的印刷区域。

优选地，所述导电薄膜的厚度为H1，所述凹槽的平均深度为H2，且0＜H2/H1≤0.8。

优选地，0.5≤H2/H1≤0.7。

优选地，所述导电薄膜的材质为氧化锌、二氧化锡、氧化铟、二氧化钛、锡酸镉、锡酸锌中的一种。

优选地，还包括：

单晶硅片；

两层本征非晶硅层，分别形成于所述单晶硅片的两个端面上；

P型非晶硅层，形成于其中之一所述本征非晶硅层的端面上，且所述P型非晶硅层的端面上形成有一所述导电薄膜；以及，

N型非晶硅层，形成于另一所述本征非晶硅层的端面上，且所述N型非晶硅层的端面上形成有另一所述导电薄膜。

本发明还提供一种HIT电池金属栅线印刷方法，包括以下步骤：

在HIT电池的非晶硅层上形成导电薄膜；

处理所述导电薄膜，以使所述导电薄膜的印刷区域至少部分形成凹槽；

将金属栅线印刷至所述印刷区域。