[发明专利]针对高功率和高带宽的虚拟负载在审

专利信息
申请号: 201811313232.7 申请日: 2018-11-06
公开(公告)号: CN109904573A 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 伯恩哈德·凯厄斯 申请(专利权)人: 罗德施瓦兹两合股份有限公司
主分类号: H01P1/26 分类号: H01P1/26
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 王小衡;胡彬
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 同轴电缆 虚拟负载 电阻式 射频功率 终端 高带宽 高功率 耗散 基板 电缆负载 电阻负载
【说明书】:

一种针对高功率和高带宽的虚拟负载(10),所述虚拟负载(10)包括:基板(12);电阻式终端(36),其充当电阻负载以用于在低频下耗散射频功率;以及至少一个同轴电缆(34),其充当电缆负载以用于在高频下耗散射频功率,所述至少一个同轴电缆(34)被连接到所述电阻式终端(36)。所述电阻式终端(36)和所述至少一个同轴电缆(34)中的至少一个被定位在所述基板(12)上。所述至少一个同轴电缆(34)具有在所述同轴电缆(34)的长度上变化的截面。

技术领域

本公开的实施例涉及针对高功率和高带宽的虚拟负载。

背景技术

在现有技术中,已知用于射频应用(RF应用)的虚拟负载,其中不同类型的虚拟负载用于不同的射频应用。例如,虚拟负载由电阻式负载建立,其通常用于低于1.5GHz至2.0GHz的频率、高于1kW的功率,这是因为它们仅确保与这些频率的适当匹配。此外,由电阻式负载建立的这些虚拟负载需要陶瓷基板以用于散热,然而,其可能在短期过载时已经损坏。此外,这种电阻式虚拟负载通常具有不足的屏蔽衰减,使得电阻式虚拟负载不能在电磁兼容室(EMC室)内使用。

除了电阻式虚拟负载之外,由电缆负载建立的虚拟负载是已知的。为了实现良好的匹配,使用随频率增加的电缆负载的衰减。馈入到电缆中的电磁信号(即电磁波)衰减了电缆衰减值,其中反射部分衰减了电缆衰减值的两倍。通常,电缆衰减增加了频率的平方根,使得电缆衰减对于高频变得非常高,其中匹配由所使用的连接器和电缆的质量指定。然而,对于低频,电缆衰减非常低,使得由电缆负载建立的虚拟负载被用于高于几百MHz的频率,以确保良好的匹配。

因此,现有技术中已知的虚拟负载不适用于对于高频率(例如高达6GHz)以及足够的功率需要良好匹配的放大器,这是因为现有技术中已知的虚拟负载会由于发生过载而被损坏。

发明内容

因此,需要一种在没有被损坏的风险的情况下可以被用于高功率和高带宽应用的虚拟负载。

本公开的实施例提供一种针对高功率和高带宽的虚拟负载,所述虚拟负载包括:

基板,

电阻式终端,其充当电阻式负载以用于在低频下耗散射频功率,以及

至少一个同轴电缆,其充当电缆负载以用于在高频下耗散射频功率,所述至少一个同轴电缆被连接到所述电阻式终端,

所述电阻式终端和所述同轴电缆中的至少一个被定位在所述基板上,并且

所述至少一个同轴电缆具有在所述至少一个同轴电缆的长度上变化的截面。

进一步地,本公开的实施例提供一种针对高功率和高带宽的虚拟负载,所述虚拟负载包括:

基板,

电阻式终端,其充当电阻式负载以用于在低频下耗散射频功率,

至少一个同轴电缆,其充当电缆负载以用于在高频下耗散射频功率,所述至少一个同轴电缆被连接到所述电阻式终端,所述至少一个同轴电缆以螺旋形方式布置在形成于所述基板中的凹槽内,以及

至少一个盖,其被连接到所述基板,使得所述电阻式终端和所述至少一个同轴电缆被容纳在所述盖和所述基板之间。

根据本公开的虚拟负载通过影响匹配的同轴电缆的频率相关的衰减来补偿电阻负载的匹配特性,该匹配特性随频率的增加而变得更差。换句话说,随着频率增加而变得更差的电阻式终端的匹配由连接到电阻式终端的同轴电缆的频率相关的衰减补偿,使得针对高带宽和高功率下提供整个虚拟负载的良好匹配。

对于射频信号的低频,由于同轴电缆的小电缆衰减,输入到虚拟负载的射频信号的功率基本上完全被转发到电阻式终端。因此,虚拟负载的输入匹配主要由电阻式终端指定。

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