[发明专利]减反阵列基板的制备方法及其制备的减反阵列基板

权利要求书

1.一种减反阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

配置一光阻溶液，所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂，所述丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂的质量百分比为：丙烯酸酯金属前驱体1％-30％，丙烯酸类树脂1％-40％、光起始剂0.5％-20％、溶剂20％-90％和助剂0％-5％，所述丙烯酸酯金属前驱体的结构式为

将光阻溶液涂布于所述衬底基板上形成一光阻层；

采用黄光制程对所述光阻层进行处理，形成一图案化结构；

对所述图案化结构进行热处理形成一减反导电结构，从而得到所述减反阵列基板。

2.如权利要求1所述的减反阵列基板的制备方法，其特征在于，所述丙烯酸类树脂为具有官能团的丙烯酸酯，所述官能团包括不饱和双键、环氧基、羟基、羧基中的一种或几种的组合。

3.如权利要求2所述的减反阵列基板的制备方法，其特征在于，所述丙烯酸类树脂为具有羧基或环氧基的丙烯酸酯，所述丙烯酸类树脂的分子量为5000-50000。

4.如权利要求3所述的减反阵列基板的制备方法，其特征在于，所述丙烯酸类树脂的酸价范围为20mg/KOH-100mg/KOH。

5.如权利要求1所述的减反阵列基板的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为200摄氏度-700摄氏度，所述热处理的时间为10分钟-2小时。

6.如权利要求5所述的减反阵列基板的制备方法，其特征在于，所述热处理过程包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段的温度大于等于第二阶段的温度。

7.如权利要求6所述的减反阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一阶段的温度为400摄氏度-600摄氏度，所述第一阶段的时间为10分钟-30分钟，所述第二阶段的温度为200摄氏度-400摄氏度，所述第二阶段的时间为10分钟-30分钟。

8.一种减反阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

减反导电结构，所述减反导电结构设置于所述衬底基板上，所述减反导电结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分为多孔结构，所述第一部分包括若干孔隙，所述第二部分分散于所述孔隙中，所述第一部分和第二部分均为导电材料。

9.如权利要求8所述的减反阵列基板，其特征在于，所述第一部分包括单质碳，所述第二部分包括单质铜。