[发明专利]减反阵列基板的制备方法及其制备的减反阵列基板有效

专利信息
申请号: 201811316656.9 申请日: 2018-11-07
公开(公告)号: CN109656099B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 张霞;刘刚 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G03F7/027 分类号: G03F7/027;H01L27/12
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 制备 方法 及其
【说明书】:

本申请实施方式所提供的减反阵列基板的制备方法,包括:提供一衬底基板;配置一光阻溶液,所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂;将光阻溶液涂布于所述衬底基板上形成一光阻层;采用黄光制程对所述光阻层进行处理,形成一图案化结构;对所述图案化结构进行热处理以形成一减反导电结构,从而得到包括所述衬底基板和所述减反导电结构的所述减反阵列基板,所述减反导电结构作为减反阵列基板的信号线,从而避免了现有技术中的金属信号线对光线的反射,进而形成了具有减少光线反射的阵列基板。

技术领域

本申请涉及显示领域,具体涉及一种减反阵列基板的制备方法及其制备的减反阵列基板。

背景技术

在窄边框或无边框产品中,为实现超精细的外电路连接,通常使阵列基板位于出光侧,然而,传统制程的阵列基板由于位于最外侧的金属信号线容易反射外界环境光,出现镜面影像,使得人眼感知到的实际对比度大大降低,从而影响了显示效果,因此有必要提供一种能够降低信号线反射现象的减反阵列基板的制备方法和由所述制备方法制备的减反阵列基板。

发明内容

本申请提供一种减反阵列基板的制备方法及其制备的减反阵列基板,以降低信号线反射现象。

一种减反阵列基板的制备方法,包括:

提供一衬底基板;

配置一光阻溶液,所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂,所述丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂的质量百分比为:丙烯酸酯金属前驱体1%-30%,丙烯酸类树脂1%-40%、光起始剂0.5%-20%、溶剂20%-90%和助剂0%-5%;

将光阻溶液涂布于所述衬底基板上形成一光阻层;

采用黄光制程对所述光阻层进行处理,形成一图案化结构;

对所述图案化结构进行热处理形成一减反导电结构,从而得到所述减反阵列基板。

在申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中,所述丙烯酸酯金属前驱体的结构式为

在申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中,所述丙烯酸类树脂为具有官能团的丙烯酸酯,所述官能团包括不饱和双键、环氧基、羟基、羧基中的一种或几种的组合。

在申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中,所述丙烯酸类树脂为具有羧基或环氧基的丙烯酸酯,所述丙烯酸类树脂的分子量为5000-50000。

在申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中,所述丙烯酸类树脂的酸价范围20mg/KOH-100mg/KOH。

在申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中,所述热处理的温度为200摄氏度-700摄氏度,所述热处理的时间为10分钟-2小时。

在申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中,所述热处理过程包括第一阶段和第二阶段,所述第一阶段的温度大于等于第二阶段的温度。

在申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中,所述第一阶段的温度为400摄氏度-600摄氏度,所述第一阶段的时间为10分钟-30分钟,所述第二阶段的温度为200摄氏度-400摄氏度,所述第二阶段的时间为10分钟-30分钟。

一种减反阵列基板,包括:

衬底基板;

减反导电结构,所述减反导电结构设置于所述衬底基板上,所述减反导电结构包括第一部分和第二部分,所述第一部分为多孔结构,所述第一部分包括若干孔隙,所述第二部分分散于所述孔隙中,所述第一部分和第二部分均为导电材料。

在申请实施例所提供的减反阵列基板中,所述第一部分包括单质碳,所述第二部分包括单质铜。

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