[发明专利]元件基板有效
申请号: | 201811317756.3 | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN109326615B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 柯聪盈;蓝咏翔;刘京桦;康婷;郑贵宁 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 | ||
1.一种元件基板,包括:
一可挠式基板;
多条扫描线,位于该可挠式基板上,且沿着一第一方向延伸;
多条数据线,位于该可挠式基板上,且沿着一第二方向延伸,该第一方向交错于该第二方向;
一第一绝缘层,位于该些扫描线与该些数据线之间;
多个主动元件,电性连接至该些扫描线以及该些数据线;
像素电极,通过开口而电性连接至该些主动元件的漏极;以及
一缓冲结构,位于该可挠式基板上,该缓冲结构包括:
多条第一缓冲线,沿着一第三方向延伸;以及
多条第二缓冲线,沿着一第四方向延伸,且该第三方向交错于该第四方向,其中该第一方向、该第二方向、该第三方向以及该第四方向互相不同;
其中,该些扫描线与该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线分隔,该些数据线与该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线分隔。
2.如权利要求1所述的元件基板,其中该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线中的至少一者与该些扫描线属于同一膜层。
3.如权利要求1所述的元件基板,其中该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线中的至少一者与该些数据线属于同一膜层。
4.如权利要求1所述的元件基板,还包括:
一遮蔽金属层,重叠于该些主动元件,且该遮蔽金属层位于该些主动元件与该可挠式基板之间,其中该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线中的至少一者与该遮蔽金属层属于同一膜层。
5.如权利要求1所述的元件基板,还包括:
一导电层,重叠于该些主动元件,且该些主动元件位于该导电层与该可挠式基板之间,其中该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线中的至少一者与该导电层属于同一膜层。
6.如权利要求1所述的元件基板,其中各该主动元件包括:
一栅极,电性连接至对应的该扫描线;
一半导体通道层,重叠于该栅极,其中该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线中的至少一者与该半导体通道层属于同一膜层;
一源极,电性连接该半导体通道层以及对应的该数据线;以及
一漏极,电性连接该半导体通道层。
7.如权利要求1所述的元件基板,其中该些第一缓冲线与该些第二缓冲线属于不同膜层。
8.如权利要求1所述的元件基板,其中该些第一缓冲线与该些第二缓冲线属于不同的材料。
9.如权利要求1所述的元件基板,其中每一条该些第一缓冲线仅与一条对应的该第二缓冲线交错设置。
10.如权利要求1所述的元件基板,其中每一条该些第一缓冲线与一条以上对应的该些第二缓冲线交错设置。
11.如权利要求1所述的元件基板,其中该第一方向正交于该第二方向,该第三方向与该第一方向之间的夹角为15度至75度,且该第四方向与该第二方向之间的夹角为15度至75度。
12.如权利要求1所述的元件基板,还包括:
一第二绝缘层,位于该第一绝缘层与该些扫描线之间,其中该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线中的至少一者位于该第二绝缘层与该第一绝缘层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的