[发明专利]蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种用于蚀刻的组合物，所述组合物包括：

磷酸；

铵类化合物；

盐酸或多磷酸盐类化合物；以及

由式2表示的含硅化合物：

[式2]

其中，在式2中：

R²是从氢、1至10个碳原子的烷基、1至10个碳原子的氨基烷基、1至10个碳原子的氨基烷氧基和1至10个碳原子的烷氧基氨基中选择的任意一个，

R³、R⁴和R⁵中的每个是氢、1至10个碳原子的烷基、1至10个碳原子的氨基烷基、1至10个碳原子的氨基烷氧基、1至10个碳原子的烷氧基氨基或者具有至多10个碳原子的取代的或未取代的氨基，

R³、R⁴和R⁵中的至少一个是1至10个碳原子的烷氧基氨基或者具有至多10个碳原子的取代的或未取代的氨基，

n是2或3。

2.根据权利要求1所述的用于蚀刻的组合物，其中：

基于所述用于蚀刻的组合物的总重量，

所述磷酸的组成比为从65wt％至97wt％，

所述铵类化合物的组成比为从0.01wt％至10wt％，

所述盐酸和所述多磷酸盐类化合物的总的组成比为从1wt％至10wt％，

所述含硅化合物的组成比为从0.01wt％至15wt％。

3.根据权利要求1所述的用于蚀刻的组合物，其中，所述含硅化合物由式4表示：

[式4]

4.根据权利要求1所述的用于蚀刻的组合物，其中，所述含硅化合物由式5表示：

[式5]

5.根据权利要求1所述的用于蚀刻的组合物，其中，所述铵类化合物包括氯化铵、磷酸铵、醋酸铵、硫酸铵、甲酸铵或金属胺络合物。

6.根据权利要求1所述的用于蚀刻的组合物，其中，所述多磷酸盐类化合物包括焦磷酸、焦磷酸盐、三聚磷酸或三聚磷酸盐。

7.一种蚀刻氮化硅层的方法，所述方法包括：

准备衬底，所述衬底上形成有氮化硅层；以及

使用用于蚀刻的组合物对所述氮化硅层执行蚀刻工艺以去除所述氮化硅层，其中，所述用于蚀刻的组合物包括：

磷酸；

铵类化合物；

盐酸或多磷酸盐类化合物；以及

由式2表示的含硅化合物：

[式2]

其中，在式2中：

R²是从氢、1至10个碳原子的烷基、1至10个碳原子的氨基烷基、1至10个碳原子的氨基烷氧基和1至10个碳原子的烷氧基氨基中选择的任意一个，

R³、R⁴和R⁵中的每个是氢、1至10个碳原子的烷基、1至10个碳原子的氨基烷基、1至10个碳原子的氨基烷氧基、1至10个碳原子的烷氧基氨基或者具有至多10个碳原子的取代的或未取代的氨基，

R³、R⁴和R⁵中的至少一个是1至10个碳原子的烷氧基氨基或者具有至多10个碳原子的取代的或未取代的氨基，

n是2或3。

8.根据权利要求7所述的蚀刻氮化硅层的方法，所述方法还包括：

在所述蚀刻工艺之前在所述衬底上形成氧化硅层，

其中，

所述蚀刻工艺包括将所述用于蚀刻的组合物施用在所述氧化硅层和所述氮化硅层上。

9.根据权利要求8所述的蚀刻氮化硅层的方法，其中，在所述蚀刻工艺期间，所述氮化硅层的蚀刻速率大于所述氧化硅层的蚀刻速率。