[发明专利]蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法

说明书

提供了蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法。用于蚀刻的组合物可以包括磷酸、铵类化合物、盐酸和多磷酸盐类化合物二者中的至少一种以及含硅化合物。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2017年11月7日提交的第10-2017-0147532号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入此。

技术领域

本公开这里涉及用于蚀刻的组合物、使用其制造半导体器件的方法，更具体地涉及用于蚀刻氮化硅层的用于蚀刻的组合物和使用其制造半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件需要增加其集成度和可靠性以满足消费者需求的优异性能和低价格。随着半导体的集成度的增加，半导体器件的可靠性和/或电特性可能更受到在半导体器件的制造工艺期间对构成半导体器件的元件的损害的影响。

具体地，在半导体器件的制造工艺期间，需要在保持待被蚀刻的层材料相对于另一层材料的高蚀刻选择性的同时使得通过蚀刻工艺形成的副产物最少化，这是因为副产物可能引起层材料的缺陷。因此，近来，正在进行对具有高蚀刻选择性且减少副产物的产生的用于蚀刻的组合物的研究。

发明内容

本公开提供对于氮化物层具有高蚀刻选择性的用于蚀刻的组合物和使用该用于蚀刻的组合物蚀刻氮化硅层的方法。

本公开还提供用于制造具有改善的可靠性的半导体器件的方法。

本公开涉及用于蚀刻的组合物和使用该用于蚀刻的组合物制造半导体器件的方法。根据本公开的用于蚀刻的组合物可以包括磷酸、铵类化合物、盐酸或多磷酸盐类化合物以及由式2表示的含硅化合物：

[式2]

在式2中，R²是从氢、1至10个碳原子的烷基、1至10个碳原子的氨基烷基、1至10个碳原子的氨基烷氧基和1至10个碳原子的烷氧基氨基中选择的任意一个。

R³、R⁴和R⁵均独立地为氢、1至10个碳原子的烷基、1至10个碳原子的氨基烷基、1至10个碳原子的氨基烷氧基、1至10个碳原子的烷氧基氨基或者具有至多10个碳原子的取代的或未取代的氨基。R³、R⁴和R⁵中的至少一个是1至10个碳原子的烷氧基氨基或者具有至多10个碳原子的取代的或未取代的氨基，n是2或3。

在本公开的实施例中，一种蚀刻氮化硅层的方法可以包括：准备其上形成有氮化硅层的衬底；以及使用用于蚀刻的组合物对所述氮化硅层执行蚀刻工艺以去除所述氮化硅层。所述用于蚀刻的组合物包括磷酸、铵类化合物、盐酸或多磷酸盐类化合物以及由式2表示的含硅化合物：

[式2]

在式2中，R²是从氢、1至10个碳原子的烷基、1至10个碳原子的氨基烷基、1至10个碳原子的氨基烷氧基和1至10个碳原子的烷氧基氨基中选择的任意一个。

R³、R⁴和R⁵均独立地为氢、1至10个碳原子的烷基、1至10个碳原子的氨基烷基、1至10个碳原子的氨基烷氧基、1至10个碳原子的烷氧基氨基或者具有至多10个碳原子的取代的或未取代的氨基。R³、R⁴和R⁵中的至少一个是1至10个碳原子的烷氧基氨基或者具有至多10个碳原子的取代的或未取代的氨基，n是2或3。