[发明专利]管道清洁方法及装置

说明书

本发明提供了一种管道清洁方法及装置，所述方法包括：提供一管道清洁装置，包括反应腔体、第一管道、第二管道以及尾气处理装置，所述第一管道上设置有第一阀门，所述第二管道与所述第一管道交汇，且所述第二管道与所述第一管道的交汇点位于所述第一阀门与所述尾气处理装置之间；关闭所述第一阀门，隔离所述交汇点与所述反应腔体；通过所述第二管道向所述第一管道输送清洁气体，以清洁所述第一管道。本发明提供的管道处理方法，降低了所述清洁气体的使用量，提升了半导体设备的利用率，并且本发明提供的管道清洁装置中反应腔体的使用寿命较长。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种管道清洁方法及装置。

背景技术

在采用半导体设备制造半导体芯片或者半导体集成电路的过程中，通常需要运用到化学气相沉积工艺，而在执行了化学气相沉积工艺后，半导体设备管道中会遗留反应副产物，影响半导体设备的性能，因此需要对半导体设备管道进行清洁。

相关技术中，半导体设备一般包括有反应腔体和尾气处理装置，并且两者通过半导体管道连接。在此基础上，清洁半导体管道的方法为：通过一管道向反应腔体输送清洁气体，使得所述清洁气体流动入半导体设备管道中，以便通过所述清洁气体来清洁所述半导体管道。

但是，相关技术中提供的半导体设备管道中的清洁方法的周期较长，且其对于清洁气体的消耗量较多。

发明内容

本发明的目的在于提供一种管道清洁方法及装置，以解决现有的半导体设备管道的清洁方法其周期长，以及清洁气体的消耗量较多的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种管道清洁方法，所述方法包括：

提供一管道清洁装置，所述管道清洁装置包括反应腔体、第一管道、第二管道以及尾气处理装置，所述第一管道连接所述反应腔体与所述尾气处理装置，所述第一管道上设置有第一阀门，用于控制所述第一管道导通或闭塞；所述第二管道与所述第一管道交汇，且所述第二管道与所述第一管道的交汇点位于所述第一阀门与所述尾气处理装置之间；

关闭所述第一阀门，使所述第一管道闭塞，进而隔离所述交汇点与所述反应腔体；

通过所述第二管道向所述第一管道输送清洁气体，以清洁所述第一管道。

可选的，所述清洁气体包括稳定气体和清除气体，所述稳定气体包括氮气或惰性气体，所述清除气体包括三氟化氯，并且所述第一管道中存在反应副产物；

其中，清洁所述第一管道的方法包括：

通过所述第二管道向所述第一管道输送稳定气体；

通过所述第二管道向所述第一管道输送清除气体，所述清除气体与所述反应副产物反应生成反应气体，以清除所述反应副产物；

通过所述第二管道向所述第一管道输送稳定气体，对所述第一管道进行吹扫，并将所述第一管道中的反应气体输送至所述尾气处理装置。

可选的，所述管道清洁装置还包括排气装置，所述排气装置与所述尾气处理装置通过管道连接；在将所述反应气体输送至所述尾气处理装置后，所述方法还包括：

在所述尾气装置中煅烧所述反应气体，并通过所述排气装置排出。

可选的，在通过所述第二管道向所述第一管道输送清除气体时，还通过所述第二管道向所述第一管道输送稳定气体，以使得所述稳定气体带动所述清洁气体流动。

可选的，所述第二管道包括主管道、第一子管道以及第二子管道；