[发明专利]一种3D渗花晶化釉料及其应用

权利要求书

1.一种3D渗花晶化釉料，其特征在于：包括底釉和面釉，其中，所述面釉的原料的质量份数为：53～75份钾长石、11～18份钠长石、12～35份石英、3～13份高岭土、0～5份烧滑石、2～3份助色剂；所述底釉的原料的质量份数为22～38份钾长石、8～18份钠长石、18～28份石英、3～13份高岭土、1～10份氧化铝、0～3份烧滑石、8～18份烧土和8～18份硅酸锆；所述助色剂为超细二氧化硅，所述超细二氧化硅的原生粒径≤500 nm，比表面积≥10 m²/g。

2.根据权利要求1所述的3D渗花晶化釉料，其特征在于：所述面釉的原料的质量份数为57～70份钾长石、13～15份钠长石、15～33份石英、5～11份高岭土、0～3份烧滑石、2.5～3份助色剂。

3.根据权利要求1所述的3D渗花晶化釉料，其特征在于：所述底釉的原料的质量份数为25～35份钾长石、10～18份钠长石、20～28份石英、5～12份高岭土、3～7份氧化铝、0～3份烧滑石、10～18份烧土和10～15份硅酸锆。

4.根据权利要求1或2所述的3D渗花晶化釉料，其特征在于：所述面釉的比重为1.75～1.85g/cm³。

5.根据权利要求1或3所述的3D渗花晶化釉料，其特征在于：所述底釉的比重为1.75～1.85g/cm³。

6.一种渗花砖的制备方法，其特征在于：包括如下制备步骤：

1）在坯体上均匀布施底釉；

2）进一步在底釉上布施面釉，得到砖坯；

3）待砖坯干燥后，喷印渗花墨水，烧制、抛光，得渗花砖；

所述底釉和面釉如权利要求1～5任一项所述。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：步骤1）中底釉的施釉量为80～100 g/300 mm *600 mm；步骤2）中面釉的施釉量为130～150 g/300 mm *600 mm。

8.一种渗花砖，其特征在于：所述渗花砖中包含釉层，所述釉层由权利要求1～5任意一项权利要求所述的3D渗花晶化釉料形成；或按权利要求6或7所述的制备方法制备得到的渗花砖。