[发明专利]片上终结电路和半导体存储器在审
申请号: | 201811325020.0 | 申请日: | 2018-11-08 |
公开(公告)号: | CN111161765A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 陈建焕;武晨燕 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 终结 电路 半导体 存储器 | ||
1.一种片上终结电路,应用于半导体存储器,其特征在于,包括:
多个被校准单元,所述被校准单元用于连接参考电阻的校准节点端;
控制单元,连接于所述被校准单元,所述控制单元用于连接所述校准节点端,并根据所述参考电阻控制对所述被校准单元的校准;其中,校准后的所述多个被校准单元具有至少两个不同的阻值。
2.根据权利要求1所述的片上终结电路,其特征在于,所述多个被校准单元包括第一被校准单元、第二被校准单元和第三被校准单元;所述第一被校准单元包括第一晶体管,所述第一晶体管连接于所述校准节点端;所述第二被校准单元包括第二晶体管,所述第二晶体管连接于所述校准节点端;所述第三被校准单元包括第三晶体管,所述第三晶体管连接于所述校准节点端;其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管具有不同的宽长比。
3.根据权利要求2所述的片上终结电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的宽长比的比例包括1∶2∶3。
4.根据权利要求3所述的片上终结电路,其特征在于,所述第一被校准单元、所述第二被校准单元和所述第三被校准单元的数量比例包括2∶1∶1。
5.根据权利要求1所述的片上终结电路,其特征在于,校准后的多个被校准单元被划分为若干组;其中,至少一组被校准单元中包括并联的被校准单元。
6.根据权利要求1所述的片上终结电路,其特征在于,第一组被校准单元和第二组被校准单元中均包括一个被校准单元;第三组被校准单元中包括两个并联的被校准单元;以及第四组被校准单元中包括三个并联的被校准单元。
7.根据权利要求1至6任一项所述的片上终结电路,其特征在于,所述控制单元包括:
时钟信号输入端,用于连接时钟信号,并将所述时钟信号输出至时钟信号处理器;
所述时钟信号处理器,用于对所述时钟信号进行处理,并输出处理后的时钟信号;
校准控制器,连接于所述时钟信号处理器,用于根据所述处理后的时钟信号,按照预设的校准时序校准所述被校准单元;
计数器,用于计数所述处理后的时钟信号,所述控制单元在所述时钟信号匹配所述校准时序后,关断所述时钟信号向所述时钟信号处理器的输入。
8.根据权利要求7所述的片上终结电路,其特征在于,所述控制单元还包括:
逻辑与门,所述逻辑与门的第一输入端形成所述时钟信号输入端,所述逻辑与门的输出端连接于所述时钟信号处理器的输入端;
RS锁存器,所述RS锁存器的R端用于连接校准命令,所述RS锁存器的S端连接于所述计数器的输出端,所述RS锁存器的输出端连接于所述逻辑与门的第二输入端。
9.一种半导体存储器,其特征在于,包括权利要求1至8任一项所述的片上终结电路。
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