[发明专利]3D膜的制备方法有效
| 申请号： | 201811325384.9 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109270696B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 梅敏敏;张文龙;杨枫;魏厚伟;王华波;顾开宇 | 申请（专利权）人： | 宁波维真显示科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B30/25 | 分类号： | G02B30/25 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 高倩 |
| 地址： | 315105 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 方法 | ||
1.一种3D膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、将1/2波长相位差膜的无离型膜一侧与硅胶基底贴合，然后将离型膜撕掉；
步骤二、在1/2波长相位差膜上切割，形成等宽条形图案化结构；
步骤三、在所述图案化结构的奇数行或偶数行的膜体上涂覆粘性涂层；
步骤四、将剥离辅助膜通过粘性涂层与1/2波长相位差膜粘贴在一起；
剥离辅助膜与1/2波长相位差膜之间粘性系数是硅胶基底与1/2波长相位差膜之间粘性系数的两倍以上；
步骤五、借助剥离辅助膜将图案化结构的奇数行或偶数行的膜体整体剥离下来，剥离完成形成的两份隔行补偿膜都用于与LED贴合。
2.根据权利要求1所述3D膜的制备方法，其特征在于，步骤二的切割方法选用激光切割。
3.根据权利要求2所述3D膜的制备方法，其特征在于，切割前每行宽为P+d，其中P为相位差补偿膜每行的目标宽度，d为激光的烧边宽度，切割形成的图案化结构中奇、偶行的宽度均为P。
4.根据权利要求2所述3D膜的制备方法，其特征在于，激光切割硅胶基底的深度不超过0.06mm。
5.根据权利要求2所述3D膜的制备方法，其特征在于，最上端和最下端切割线的右端/左端较中间的切割线而言稍长，同时所有切割线的另一端则保持平齐，形成等宽条形图案化结构，从而可以通过进一步的剥离形成仅有左端/右端与外框相连的间隔条状结构。
6.根据权利要求1所述3D膜的制备方法，其特征在于，步骤三所述的粘性涂层采用硅胶实现。
7.根据权利要求1所述3D膜的制备方法，其特征在于，所述剥离辅助膜采用PET、PC、PVC或TAC实现。
8.根据权利要求1所述3D膜的制备方法，其特征在于，步骤三中涂覆粘性涂层时，将材料首先喷涂在目标行的中心位置，经辊压后均匀分布，且涂覆面积为目标区域的85％～95％。
9.根据权利要求1所述3D膜的制备方法，其特征在于，步骤五剥离时的剥离角度不大于60度。
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