[发明专利]基板处理系统有效
申请号: | 201811326178.X | 申请日: | 2018-11-08 |
公开(公告)号: | CN111081591B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 冯傳彰;刘茂林;吴庭宇 | 申请(专利权)人: | 辛耘企业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双;李岩 |
地址: | 中国台湾台北市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 | ||
1.一种基板处理系统,其特征在于,包括:
一基板处理组,包括至少一基板支撑件,该至少一基板支撑件用以支撑直立的一基板;以及
一基板持取单元,包括二悬臂和二基板持取件,各该基板持取件分别设置于各该悬臂,该二基板持取件用以垂直持取该基板,各该基板持取件包括一沟槽,各该沟槽包括一底部间距和一顶部间距,该底部间距小于该顶部间距,且该二沟槽对称设置以分别接触该基板的两边,其中借由该底部间距小于该顶部间距的尺寸关系,该二基板持取件可上升持取该基板离开该至少一基板支撑件,或是该二基板持取件可下降将该基板置于该至少一基板支撑件并离开该基板;
其中当该基板持取单元移动至该基板处理组,且该二基板持取件与该基板接触后,该二基板持取件持取该基板;
其中该基板持取单元持取该基板的步骤包括:
该二基板持取件下降至低于该基板的一第一高度;
该二基板持取件向该基板水平移动至该二基板持取件分别对准该基板的两边;
该二基板持取件上升至接触该基板的两边;以及
该二基板持取件上升并持取该基板,使得该基板离开该至少一基板支撑件。
2.如权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,该基板持取单元更用以持取该基板,并将该基板置于该基板处理组;该基板持取单元持取该基板,并将该基板置于该基板处理组的步骤包括:
该二基板持取件持取该基板并下降,将该基板置于该基板支撑件;
该二基板持取件下降至低于该第一高度,并离开该基板;
该二基板持取件水平移动一第一距离以远离该基板;以及
该二基板持取件上升以离开该基板处理组。
3.如权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于,各该基板持取件包括一沟槽,该二沟槽对称设置以分别接触该基板的该两边;该二沟槽的上端之间的一槽位间距,比该二沟槽的下端之间的另一槽位间距更宽;其中借由该二沟槽为上宽下窄的形状关系,该二基板持取件可上升持取该基板离开该至少一基板支撑件,或是该二基板持取件可下降将该基板置于该至少一基板支撑件并离开该基板。
4.如权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于,该基板处理组为一基板翻转机,用以将该基板翻转于水平与直立状态之间,并与该基板持取单元交接直立状态的该基板。
5.如权利要求4所述的基板处理系统,其特征在于,该至少一基板支撑件包括至少一容置单元;当该基板翻转于水平与直立状态之间时,该基板的周缘限位于该至少一容置单元内;当该基板于直立状态时,该基板直立于该至少一容置单元,以供该基板持取单元交接该基板。
6.如权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于,该基板处理组为一单片式喷洗处理槽,用以对该基板进行垂直喷洗处理,并与该基板持取单元交接直立状态的该基板。
7.如权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于,该基板处理组为一浸泡槽,用以对该基板进行垂直浸泡处理,并与该基板持取单元交接直立状态的该基板。
8.如权利要求7所述的基板处理系统,其中该浸泡槽包括多个槽位,该多个槽位设置于该至少一基板支撑件上,以容纳多个基板;该基板持取单元将该多个基板依序单片垂直放置于该多个槽位,以对该多个基板进行批次式的浸泡处理。
9.如权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于,该浸泡槽包括多个槽位,该多个槽位设置于该至少一基板支撑件上,以容纳多个基板;该基板持取单元将其中一基板垂直放置于其中一槽位,以对该其中一基板进行浸泡处理,且该基板持取单元与该浸泡槽陆续交接其他基板,以陆续对各个基板进行浸泡处理。
10.如权利要求9所述的基板处理系统,其特征在于,在该基板持取单元与该浸泡槽陆续交接各个基板以进行浸泡处理的过程中,位于该浸泡槽内的该基板仍持续进行浸泡处理。
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