[发明专利]制造集成电路器件的方法

权利要求书

1.一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：

在衬底的主表面上形成光致抗蚀剂膜，所述光致抗蚀剂膜包括光致产酸剂PAG；

曝光所述光致抗蚀剂膜的第一区域，以在所述光致抗蚀剂膜的第一区域中产生酸；

通过经由在所述光致抗蚀剂膜和面向所述衬底的主表面的电极之间的电场透过层在与所述衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对所述光致抗蚀剂膜施加电场，使酸在所述光致抗蚀剂膜的第一区域中扩散；以及

通过显影所述光致抗蚀剂膜形成光致抗蚀剂图案，

其中，所述电场透过层包括含离子层或导电聚合物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述酸扩散包括在施加电场之前使所述光致抗蚀剂膜和所述电极中的每一个与所述电场透过层接触。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述电场透过层包括离子水，以及

所述离子水包括水和从以下获得的离子：氯化钠、氯化钾、氯化锂、硝酸钠或四甲基氯化铵。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述酸扩散包括：

将所述衬底和所述电极布置为使得所述光致抗蚀剂膜的顶表面与所述电极分离，在两者之间存在分离空间；

将离子水注入到所述分离空间中，以形成所述电场透过层；以及

通过所述离子水对所述光致抗蚀剂膜施加电场。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述电场透过层包括离子凝胶图案，以及

所述离子凝胶图案包括有机胺阳离子和反阴离子。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述酸扩散包括：

提供离子凝胶图案来作为所述电极和所述光致抗蚀剂膜之间的所述电场透过层；

将所述衬底和所述电极布置为使得所述光致抗蚀剂膜和所述电极中的每一个与所述离子凝胶图案接触；以及

通过所述离子凝胶图案对所述光致抗蚀剂膜施加电场。

7.根据权利要求1所述的方法，在曝光所述光致抗蚀剂膜的第一区域之前，还包括提供导电聚合物层来作为所述电场透过层，

其中，使所述酸扩散包括：

将所述衬底和所述电极布置为使得所述光致抗蚀剂膜和所述电极中的每一个与所述导电聚合物层接触；以及

通过所述导电聚合物层对所述光致抗蚀剂膜施加电场。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述酸扩散还包括在施加电场期间加热所述衬底。

9.一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：

制备第一电极、第二电极、和与所述第一电极和所述第二电极连接的电源，所述电源在所述第一电极和所述第二电极之间施加电场；

在衬底的主表面上形成光致抗蚀剂膜，所述光致抗蚀剂膜包括光致产酸剂PAG；

曝光所述光致抗蚀剂膜的第一区域，以在所述光致抗蚀剂膜的第一区域中产生酸；

将所述衬底布置为使得所述光致抗蚀剂膜面向所述第一电极，在两者之间存在包括含离子层在内的电场透过层；

通过经由所述电场透过层在与所述衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对所述光致抗蚀剂膜施加电场，使酸在所述光致抗蚀剂膜的第一区域中扩散；以及

通过显影所述光致抗蚀剂膜形成光致抗蚀剂图案。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，使所述酸扩散还包括对所述衬底施加热量。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述电场透过层包括离子水或离子凝胶图案。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述电场透过层包括离子水，所述方法还包括：

将所述衬底布置为使得所述光致抗蚀剂膜面向所述第一电极，在两者之间存在分离空间；以及

将所述离子水注入到所述分离空间中。