[发明专利]制造集成电路器件的方法

说明书

一种制造集成电路(IC)器件的方法包括：曝光在衬底的主表面上形成的光致抗蚀剂膜的部分区域以产生酸；以及，使酸在光致抗蚀剂膜的部分区域中扩散。使酸扩散可以包括：使用面向衬底的电极通过填充在光致抗蚀剂膜和电极之间的电场透过层在与衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对光致抗蚀剂膜施加电场。电场透过层可以包括含离子层或导电聚合物层。

相关申请的交叉引用

将于2018年3月16日在韩国知识产权局递交的题为“METHOD OF MANUFACTURINGINTEGRATED CIRCUIT DEVICE”的韩国专利申请No.10-2018-0031102通过引用的方式整体合并在本文中。

技术领域

实施例涉及制造集成电路(IC)器件的方法，更具体地，涉及使用电场来制造IC器件的方法。

背景技术

随着IC器件的按比例缩小和高集成度的快速发展，当使用光刻工艺形成图案时，需要能够确保要形成的图案的尺寸精度的新技术。特别地，随着IC器件的设计规则的减小，开发了改善临界尺寸(CD)一致性和使用用于形成以精细间距高密度布置的多个图案的光刻工艺中的简化工艺来提高生产率的技术。

发明内容

一个或多个实施例涉及制造IC器件的方法。所述方法包括在衬底的主表面上形成包括光致产酸剂PAG在内的光致抗蚀剂膜。曝光光致抗蚀剂膜的第一区域以在第一区域中产生酸。可以通过经由在光致抗蚀剂膜和面向衬底的主表面的电极之间的电场透过层在与衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对光致抗蚀剂膜施加电场，使酸在光致抗蚀剂膜的第一区域中扩散。电场透过层可以包括含离子层或导电聚合物层。

一个或多个实施例涉及一种制造IC器件的方法。所述方法包括制备第一电极、第二电极、和与第一电极和第二电极连接的电源，电源在第一电极和第二电极之间施加电场。可以在衬底的主表面上形成光致抗蚀剂膜，光致抗蚀剂膜包括光致产酸剂(PAG)。曝光光致抗蚀剂膜的第一区域，以在光致抗蚀剂膜的第一区域中产生酸。可以将衬底布置为使得光致抗蚀剂膜面向第一电极，在两者之间存在包括含离子层在内的电场透过层。可以通过经由电场透过层在与衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对光致抗蚀剂膜施加电场，使酸在光致抗蚀剂膜的第一区域中扩散。可以通过显影光致抗蚀剂膜来形成光致抗蚀剂图案。

一个或多个实施例涉及一种制造IC器件的方法。所述方法可以包括制备第一电极、第二电极、和与第一电极和第二电极连接的电源，电源在第一电极和第二电极之间施加电场。包括光致产酸剂(PAG)在内的光致抗蚀剂膜可以形成在衬底的主表面上。可以在光致抗蚀剂膜上形成电场透过层，电场透过层包括导电聚合物层。可以通过电场透过层曝光光致抗蚀剂膜的第一区域，以在光致抗蚀剂膜的第一区域中产生酸。可以将衬底布置为使得光致抗蚀剂膜面向第一电极，在两者之间存在电场透过层。可以通过经由电场透过层在与衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对光致抗蚀剂膜施加电场，使酸在光致抗蚀剂膜的第一区域中扩散。可以通过显影光致抗蚀剂膜来形成光致抗蚀剂图案。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，在附图中：

图1示出了根据实施例的制造集成电路(IC)器件的方法的流程图；

图2A至图2D示出了根据实施例的制造IC器件的方法中的顺序阶段的横截面图；

图3示出了根据实施例的当电场透过层包括离子水时制造IC器件的方法的流程图；

图4示出了根据实施例的当电场透过层包括离子凝胶图案时制造IC器件的方法的流程图；

图5示出了根据实施例的当电场透过层包括导电聚合物层时制造IC器件的方法的流程图；

图6示出了显示根据实施例的制造IC器件的方法中的电场施加工艺和热施加工艺的接通/关断时间点的定时图；