[发明专利]存储器件

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

第一导电线，沿着第一方向在衬底上延伸；

第二导电线，沿着与所述第一方向交叉的第二方向在所述第一导电线上延伸；

存储单元结构，在所述第一导电线和所述第二导电线之间的交叉点处并且连接到所述第一导电线和所述第二导电线，每个所述存储单元结构包括第一电极层、第二电极层以及在所述第一电极层和第二所述电极层之间的电阻存储层；以及

选择器件结构，在所述第一导电线和所述第二导电线之间串联连接到所述存储单元结构，

其中每个所述电阻存储层的第一侧壁是倾斜的并具有在远离所述衬底的方向上减小的水平宽度，

其中每个所述电阻存储层的与所述第一侧壁相邻的第二侧壁是倾斜的并具有在远离所述衬底的方向上增大的水平宽度，

其中所述第一侧壁与平行于所述衬底的表面的水平面之间的第一夹角是锐角，以及

其中所述第二侧壁与所述水平面之间的第二夹角是钝角。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁在不同的方向上倾斜。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一电极层和所述第二电极层完全覆盖所述电阻存储层的底表面和顶表面。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述多个电阻存储层中的一些沿着所述第一方向间隔开，

其中所述存储器件还包括：

第一绝缘图案和第二绝缘图案，交替布置在所述多个电阻存储层之间。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中一对所述电阻存储层具有插设在其间的一个第一绝缘图案，所述一对电阻存储层和所述一个第一绝缘图案在一个第一电极层上。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中在其间插设有所述一个第一绝缘图案的所述一对电阻存储层的顶表面被彼此间隔开布置的一对所述第二电极层覆盖。

7.根据权利要求5所述的存储器件，还包括接触所述电阻存储层的所述第二侧壁的第三绝缘图案，

其中所述第三绝缘图案沿着所述第二方向间隔开，并且

其中所述电阻存储层沿着所述第一方向间隔开。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述选择器件结构分别包括所述第二电极层、第三电极层以及在所述第二电极层和所述第三电极层之间的选择器件层，

其中每个选择器件结构具有倾斜的侧壁，使得所述选择器件结构的水平横截面面积在远离所述衬底的方向上减小。

9.根据权利要求8所述的存储器件，其中每个选择器件结构的侧壁与平行于所述衬底的表面的水平面之间的第三夹角是钝角。

10.一种存储器件，包括：

第一导电线，沿着第一方向在衬底上延伸；

一对第二导电线，沿着与所述第一方向交叉的第二方向在所述第一导电线上延伸；

一对存储单元结构，在所述第一导电线和所述一对第二导电线之间的交叉点处；

所述一对存储单元结构中的第一个，包括第一电阻存储层；

所述一对存储单元结构中的第二个，包括第二电阻存储层；

第一绝缘图案，插设在所述第一电阻存储层和所述第二电阻存储层之间；以及

第一电极层，由所述一对存储单元结构共用，并完全覆盖所述第一电阻存储层的底表面和所述第二电阻存储层的底表面，

其中所述第一电阻存储层和所述第二电阻存储层中的每个的接触所述第一绝缘图案的第一侧壁与平行于所述衬底的表面的水平面之间的第一夹角是锐角，并且所述第一电阻存储层和所述第二电阻存储层中的每个的与所述第一侧壁相邻的第二侧壁与所述水平面之间的第二夹角是钝角，

其中所述第一电阻存储层和所述第二电阻存储层中的每个的所述第一侧壁是倾斜的并具有在远离所述衬底的方向上减小的水平宽度，以及

其中所述第一电阻存储层和所述第二电阻存储层中的每个的所述第二侧壁是倾斜的并具有在远离所述衬底的方向上增大的水平宽度。