[发明专利]存储器件

说明书

一种存储器件包括：第一导电线，沿着第一方向在衬底上延伸；第二导电线，沿着与第一方向交叉的第二方向在第一导电线上延伸；以及存储单元结构，在第一导电线和第二导电线之间的交叉点处并且连接到第一导电线和第二导电线，每个存储单元结构包括第一电极层、第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间的电阻存储层。每个电阻存储层的第一侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上减小的水平宽度，并且每个电阻存储层的与第一侧壁相邻的第二侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上增大的水平宽度。

技术领域

本发明构思总地涉及一种存储器件，更具体地，涉及具有交叉点阵列结构的存储器件。

背景技术

随着电子产品的小型化，对半导体器件的高集成的需求不断增长。作为下一代非易失性存储器件，在一些电子产品中已经使用通过改变电阻存储层的电阻来存储数据的存储器件。此外，由于存在对存储器件的提高的集成和按比例缩小的持续需求，所以在一些电子产品中也已经使用具有交叉点堆叠结构的存储器件，在交叉点堆叠结构中存储单元提供在彼此交叉的两个电极之间的交叉点处。

发明内容

本发明构思的一些实施方式可以提供具有交叉点堆叠结构的存储器件，其可以通过用于提高可靠性的简化工艺来实现。

根据本发明构思的一方面，提供一种存储器件，该存储器件包括：第一导电线，沿着第一方向在衬底上延伸；第二导电线，沿着与第一方向交叉的第二方向在第一导电线上延伸；以及存储单元结构，在第一导电线和第二导电线之间的交叉处并且连接到第一导电线和第二导电线，每个存储单元结构包括第一电极层、第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间的电阻存储层，其中每个电阻存储层的第一侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上减小的水平宽度，并且其中电阻存储层的与第一侧壁相邻的第二侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上增大的水平宽度。

根据本发明构思的另一方面，提供一种存储器件，该存储器件包括：第一导电线，沿着第一方向在衬底上延伸；一对第二导电线，沿着与第一方向交叉的第二方向在第一导电线上延伸；一对存储单元结构，在第一导电线和所述一对第二导电线之间的交叉点处；所述一对存储单元结构中的第一个包括第一电阻存储层；所述一对存储单元结构中的第二个包括第二电阻存储层；以及第一电极层，由所述一对存储单元结构共用并完全覆盖第一电阻存储层的底表面和第二电阻存储层的底表面。

根据本发明构思的另一方面，提供一种存储器件，该存储器件包括：第一导电线，沿着第一方向在衬底上延伸；第二导电线，沿着与第一方向交叉的第二方向在第一导电线上延伸；第三导电线，沿着第一方向在第二导电线上延伸；以及存储单元结构和选择器件结构，分别包括电阻存储层和选择器件层，在第一导电线和第二导电线之间的交叉点处以及在第二导电线和第三导电线之间的交叉点处并彼此串联连接，其中电阻存储层的第一侧壁是其水平宽度在远离衬底的方向上增大的倾斜侧壁，并且其中选择器件层的侧壁是其水平宽度在远离衬底的方向上减小的倾斜侧壁。

附图说明

从以下结合附图进行的详细描述，本发明构思的实施方式将被更清楚地理解，附图中：

图1是根据本发明构思的一些实施方式的存储器件的一部分的等效电路图；

图2是示意性示出根据本发明构思的一些实施方式的存储器件的部分的平面图；

图3A是根据本发明构思的一些实施方式的存储器件沿着图2的线A-A'、B1-B1'和B2-B2'截取的截面图，图3B是图3A的存储器件的电阻存储层的示意性透视图，图3C是包括图3A的选择器件层的选择器件结构的示意性透视图；

图4、图5A和图6至图15是示出根据本发明构思的一些实施方式的制造存储器件的方法的截面图，图5B是示出根据本发明构思的另一些实施方式的制造存储器件的方法的截面图，图5C是示出根据本发明构思的另一些实施方式的制造存储器件的方法的截面图；

图16A是示出根据本发明构思的一些实施方式的存储器件的截面图；