[发明专利]一种微结构气体探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种微结构气体探测器，其特征在于，包括：

基板，所述基板具有相对的第一面和第二面，所述第一面具有探测区域；

位于所述基板一侧，至少覆盖所述探测区域的阻性电极，所述阻性电极为锗金属膜；

位于所述阻性电极背离所述基板一侧的支撑层；

位于所述支撑层背离所述基板一侧的阴极。

2.根据权利要求1所述的微结构气体探测器，其特征在于，所述基板包括：

印刷线路板，所述印刷线路板包括第一绝缘层，位于第一绝缘层一侧的接地层，以及贯穿所述第一绝缘层的多个接地端子，所述接地端子与所述接地层电连接；

位于所述第一绝缘层背离所述接地层一侧的读出层；

覆盖所述读出层的油墨绝缘层。

3.根据权利要求1所述的微结构气体探测器，其特征在于，所述基板包括：读出层和印刷线路板；其中，

所述印刷线路板包括第一绝缘层，位于所述第一绝缘层一侧的接地层，以及贯穿所述第一绝缘层的多个接地端子，所述接地端子与所述接地层电连接；

所述读出层包覆于所述第一绝缘层中，且与所述接地层和接地端子均绝缘。

4.根据权利要求2或3所述的微结构气体探测器，其特征在于，多个所述接地端子在所述第一绝缘层上的正投影分布于所述读出层在所述第一绝缘层上的正投影的四周。

5.根据权利要求2或3所述的微结构气体探测器，其特征在于，所述接地端子为第一类接地端或第二类接地端；

所述第一类接地端在所述第一绝缘层上的正投影分布于所述读出层在所述第一绝缘层上的正投影的四周；

所述第二类接地端在所述第一绝缘层上的正投影位于读出层在所述第一绝缘层上的正投影的内部。

6.根据权利要求5所述的微结构气体探测器，其特征在于，所述支撑层包括与所述第二类接地端一一对应的支撑片，每个所述支撑片覆盖与其对应的第二类接地端。

7.根据权利要求1所述的微结构气体探测器，其特征在于，所述锗金属膜的厚度的取值范围为100nm-1μm。

8.一种微结构气体探测器的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板具有相对的第一面和第二面，所述第一面具有探测区域；

在所述基板一侧形成至少覆盖所述探测区域的阻性电极，所述阻性电极为锗金属膜；

在所述阻性电极背离所述基板一侧形成支撑层；

在所述支撑层背离所述基板一侧形成阴极。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述基板一侧形成至少覆盖所述探测区域的阻性电极包括：

采用热蒸发工艺，在所述基板一侧形成至少覆盖所述探测区域的，厚度取值范围为100nm-1μm的锗金属膜。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述基板的形成过程包括：

形成印刷线路板，所述印刷线路板包括第一绝缘层，位于第一绝缘层一侧的接地层，以及贯穿所述第一绝缘层的多个接地端子，所述接地端子与所述接地层电连接；

在所述第一绝缘层背离所述接地层一侧形成读出层；

形成覆盖所述读出层的油墨绝缘层；

或包括：

形成第一绝缘层和读出层，所述读出层包覆于所述第一绝缘层中；

在所述第一绝缘层一侧形成接地层以及贯穿所述第一绝缘层的多个接地端子，所述接地端子与所述接地层电连接；所述读出层与所述接地层和接地端子均绝缘。