[发明专利]一种适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法

权利要求书

1.一种适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)将制备在蓝宝石基板上的微型发光二极管阵列粘接在临时转移基板上，并将所述微型发光二极管阵列与所述蓝宝石基板分离；

(2)将所述微型发光二极管阵列自所述临时转移基板转移到透明基板上，并将所述微型发光二极管阵列与所述临时转移基板分离；所述透明基板设置有热释放胶层，所述热释放胶层包括聚合物吸光层及设置在所述聚合物吸光层上的热释放粘合胶层，所述聚合物吸光层粘接在所述透明基板上，所述微型发光二极管阵列设置于所述热释放粘合胶层上；

(3)选择性地点亮所述微型发光二极管阵列中的待转移微型发光二极管，并判断被点亮的所述待转移微型发光二极管的发光情况，若满足要求，则转至步骤(4)，否则，更换一批所述待转移微型发光二极管进行选择性地点亮；其中，点亮的所述待转移微型发光二极管发光时产生的热量加热所述热释放粘合胶层与其相接触的区域，以降低所述热释放粘合胶层与点亮的所述待转移微型发光二极管相接触的区域的粘附力；

(4)采用紫外激光扫描所述透明基板的背面，使所述紫外激光穿过所述透明基板后被所述聚合物吸光层吸收并产生冲击力，所述冲击力使得点亮的所述待转移微型发光二极管脱离所述热释放粘合胶层并转移到目标基板上，由此实现微型发光二极管的选择性巨量转移。

2.如权利要求1所述的适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法，其特征在于：采用所述紫外激光穿过所述蓝宝石基板后照射在所述微型发光二极管阵列与所述蓝宝石基板之间的界面上，以将所述微型发光二极管阵列与所述蓝宝石基板分离。

3.如权利要求1所述的适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法，其特征在于：所述聚合物吸光层是由光敏聚合物材料制成的；所述热释放粘合胶层的组分包括高分子聚甲基丙烯酸酯。

4.如权利要求1所述的适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法，其特征在于：步骤(3)中，将所述透明基板按压在驱动电路板上，通过所述驱动电路板来选择性地点亮所述待转移微型发光二极管。

5.如权利要求4所述的适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法，其特征在于：所述驱动电路板上设置有多个第一驱动电极，多个所述第一驱动电极的排列与所述微型发光二极管阵列的排列相对应。

6.如权利要求5所述的适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法，其特征在于：所述第一驱动电极与所述微型发光二极管阵列的电极之间为柔性接触。

7.如权利要求4所述的适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法，其特征在于：通过调节环境温度及所述待转移微型发光二极管的光伏照度来控制被点亮的所述待转移微型发光二极管与所述热释放粘合胶层的接触区域的温度。

8.如权利要求1-7任一项所述的适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法，其特征在于：通过控制所述聚合物吸光层的厚度及所述紫外激光的照射能量密度来控制所述热释放胶层的变形及所述冲击力的大小。

9.如权利要求1-7任一项所述的适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法，其特征在于：步骤(1)之前还包括在所述蓝宝石基板上制备所述微型发光二极管阵列的步骤。