[发明专利]一种适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法

说明书

本发明属于微型发光二极管转移相关技术领域，其公开了一种适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法，该方法包括以下步骤：(1)将制备在蓝宝石基板上的微型发光二极管阵列粘接在临时转移基板上；(2)将所述微型发光二极管阵列自所述临时转移基板转移到透明基板上，所述透明基板设置有热释放胶层；(3)选择性地点亮所述微型发光二极管阵列中的待转移微型发光二极管；(4)采用紫外激光扫描所述透明基板的背面，使点亮的所述待转移微型发光二极管脱离所述热释放胶层并转移到目标基板上。本发明工艺简单，适用性较强，准确性较高，且提高了良品率及生产效率。

技术领域

本发明属于微型发光二极管转移相关技术领域，更具体地，涉及一种适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法。

背景技术

近年来，微型发光二极管(Micro LED，μLED)的制作工艺日趋完善，相比传统显示面板，微型发光二极管具有尺寸更小、分辨率更高、亮度更高、发光效率更高、功耗更低等众多优点，因此也被认为是下一代显示技术的主流。

通常发光二极管的制备流程是首先将二极管(LED)结构薄膜化、微小化、阵列化，使其尺寸仅在10微米左右，然后将微型发光二极管批量式转移至显示电路基板上，最后进行封装。其中，如何实现批量式转移则是此流程的关键难点，巨量转移(Mass Transfer)技术也应运而生。巨量转移技术是指将生长在原生基板上的微型发光二极管批量式转移到电路基板上的技术，每一个微型发光二极管对应电路基板上的一个亚像素，由于微型发光二极管的尺寸小，定位精度要求高，而且电路基板上需要数以百计的亚像素，且原生基板上的微型发光二极管与电路基板上的亚像素还存在间距不匹配的问题。如何能够高效率、高成品率、有选择性的将制作出来的微型发光二极管批量式转移到电路基板上成为了一项技术难点。

目前能够实现选择性释放或者接收的巨量转移技术主要包括以下几种：1、通过制作模具实现选择性转移(如CN201711162098.0)，该方法通过在模具上制作左右不对称的微型孔来定位微型发光二极管，在有微型孔的地方微型发光二极管的形状与孔的形状保持一致，增加了微型发光二极管和模具的制作难度；2、通过流体自组装实现选择性转移(如CN201710561814.6)，该方法通过将带有磁极的微型发光二极管和电路基板放入待定溶液中，通过磁力吸附定位，被磁力吸附定位的微型发光二极管被转移，反之则不被转移，此方法增加了制作工艺，而且可能存在遗漏或者定位不精确的问题。相应地，本领域存在着发展一种工艺简单的适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法的技术需求。

发明内容

针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法，其基于现有微型发光二极管的转移特点，研究及设计了一种工艺简单且精度较好的适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法。所述转移方法通过选择性对微型发光二极管进行通电检测，利用微型发光二极管发光时的热效应来显著降低粘接在微型发光二极管上方的热释放胶层的粘性；同时利用激光照射引起的冲击效应实现对粘结在低粘区域的微型发光二极管的选择性批量转移。

为实现上述目的，本发明提供了一种适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法，该转移方法包括以下步骤：

(1)将制备在蓝宝石基板上的微型发光二极管阵列粘接在临时转移基板上，并将所述微型发光二极管阵列与所述蓝宝石基板分离；

(2)将所述微型发光二极管阵列自所述临时转移基板转移到透明基板上，并将所述微型发光二极管阵列与所述临时转移基板分离；所述透明基板设置有热释放胶层，所述热释放胶层包括聚合物吸光层及设置在所述聚合物吸光层上的热释放粘合胶层，所述聚合物吸光层粘接在所述透明基板上，所述微型发光二极管阵列设置于所述热释放粘合胶层上；