[发明专利]一种添加铝、硅元素的高熵合金及其制备方法在审
| 申请号： | 201811338893.5 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109355544A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张楠楠;金冰倩;张悦;张欣宇;马永亮;郝德喜;李德元 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C1/02 |
| 代理公司： | 北京君泊知识产权代理有限公司 11496 | 代理人： | 王程远 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高熵合金 硅元素 制备 真空电弧熔炼 耐磨性 单质金属 合金材料 面心立方 立方相 配制 | ||
1.一种添加铝、硅元素的高熵合金，其特征在于，所述的高熵合金由纯度高于99.9％的Co、Cr、Ni、Al、Fe、Si单质金属按照AlxCoCrFeNiSi(x＝0.5，1.0，1.5，2.0)配制后，通过真空电弧熔炼制得。
2.根据权利要求1所述的添加铝、硅元素的高熵合金，其特征在于，所述的AlxCoCrFeNiSi(x＝0.5，1.0，1.5，2.0)是按照原子的摩尔比进行混合。
3.根据权利要求1或2所述的添加铝、硅元素的高熵合金，其特征在于，通过铝、硅元素促进面心立方的AlCoCrFeNi系统中体心立方相的形成，从而提高高熵合金的耐磨性。
4.根据权利要求1或2所述的添加铝、硅元素的高熵合金的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)采用电子天平进行精确称量纯度高于99.9％的Co、Cr、Ni、Al、Fe、Si单质金属，按照摩尔分数AlxCoCrFeNiSi(x＝0.5，1.0，1.5，2.0)进行配制得到原料；
(2)将步骤(1)配制好的原料分别放置于真空水冷铜模中，进行真空熔炼5次，每次8min；采用Ar作为保护气体；得到圆形高熵合金锭；
(3)将步骤(2)的圆形高熵合金锭在空气中静置60h。
5.根据权利要求4所述的添加铝、硅元素的高熵合金的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的AlxCoCrFeNiSi(x＝0.5，1.0，1.5，2.0)是按照原子的摩尔比进行配制。
6.根据权利要求4所述的添加铝、硅元素的高熵合金的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的真空熔炼的真空度为10-4Pa。
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