[发明专利]进气装置和化学气相沉积设备有效
申请号: | 201811339845.8 | 申请日: | 2018-11-12 |
公开(公告)号: | CN111172516B | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 袁福顺 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 化学 沉积 设备 | ||
1.一种进气装置,所述进气装置用于化学气相沉积设备,其特征在于,所述进气装置包括沿进气方向间隔设置的多级气体混合腔,相邻两级气体混合腔之间通过若干个间隔设置的通道相连通,其中,
任意一级所述气体混合腔的腔壁上均设置有至少一个进气口,每个所述进气口用于通入其中一种工艺气体;位于最后一级所述气体混合腔的腔壁上设置有若干个出气口;
所述进气装置包括具有一级气体混合腔的第一混气盒和具有二级气体混合腔的第二混气盒,所述第一混气盒和所述第二混气盒为轮廓相同的盒体,其中,
所述第一混气盒的底板与所述第二混气盒的顶板贴合,且所述第一混气盒的底板上形成有若干个第一连通气孔,所述第二混气盒的顶板上形成有若干个第二连通气孔,若干个所述第一连通气孔与若干个所述第二连通气孔一一对应且对齐形成若干个所述通道;若干个所述通道相对于所述第二混气盒均匀分布;
所述第一混气盒上形成有至少一个所述进气口,所述第二混气盒上形成有至少一个所述进气口,若干个所述出气口形成在所述第二混气盒的底板上。
2.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,所述进气装置还包括多个进气管,且多个所述进气管与对应的所述进气口连通。
3.一种化学气相沉积设备,所述化学气相沉积设备包括工艺腔和设置在所述工艺腔中的基片承载座,其特征在于,所述化学气相沉积设备还包括设置在所述工艺腔顶部的进气装置,所述进气装置为权利要求1至2中任意一项所述的进气装置。
4.根据权利要求3所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述进气装置的出气口的出气方向朝向所述基片承载座的承载面,且所述出气方向与所述承载面垂直。
5.根据权利要求3所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述化学气相沉积设备还包括用于对所述工艺腔进行加热的加热组件,其中,
所述加热组件包括沿所述工艺腔的高度方向由顶部至底部依次设置的第一加热组件、第二加热组件和第三加热组件,所述第一加热组件、所述第二加热组件和所述第三加热组件能够被分别独立地控制。
6.根据权利要求5所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述第一加热组件为由第一电阻丝绕成的螺旋筒状,所述第二加热组件为由第二电阻丝绕成的螺旋筒状,所述第三加热组件为由第三电阻丝绕成的螺旋盘状,所述基片承载座设置在所述第一加热组件的空腔中。
7.根据权利要求3至5中任意一项所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述化学气相沉积设备还包括旋转轴,用于带动所述基片承载座绕其自身轴线旋转;
所述旋转轴的一端位于所述工艺腔内,并与所述基片承载座相连,所述旋转轴的另一端穿过所述工艺腔的底壁上的导向孔并位于所述工艺腔的外部。
8.根据权利要求7所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述工艺腔的侧壁上形成传片口,所述传片口沿所述侧壁的厚度方向贯穿设置。
9.根据权利要求3至5中任意一项所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述化学气相沉积设备还包括用于对所述工艺腔的腔室壁进行冷却的冷却装置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的