[发明专利]进气装置和化学气相沉积设备

说明书

本发明提供一种进气装置，所述进气装置用于化学气相沉积设备，所述进气装置包括沿进气方向间隔设置的多级气体混合腔，相邻两级气体混合腔之间通过若干个间隔设置的通道相连通，其中，任意一级所述气体混合腔的腔壁上均设置有至少一个进气口，每个所述进气口用于通入其中一种工艺气体；位于最后一级所述气体混合腔的腔壁上设置有若干个出气口。本发明还提供一种化学气相沉积设备。利用所述化学气相沉积设备进行化学气相沉积工艺时，工艺气体基片表面分布更加均匀。

技术领域

本发明涉及化学气相沉积设备领域，具体地，涉及一种进气装置和一种包括该进气装置的化学气相沉积设备。

背景技术

化学气相沉积工艺是微电子加工领域常用的一种外延生长工艺，通常，在化学气相沉积设备中执行化学气相沉积工艺。图1中所示的是化学气相沉积设备的示意图。该化学气相沉积设备包括反应腔10，该反应腔10的前端为进气端11，反应腔10的后端为出气端12。在反应腔的前端形成有多个贯穿反应腔的腔室壁的多个进气孔，在反应腔的出气端形成有多个贯穿反应腔的腔室壁的出气孔(未示出)。反应腔的上下表面为标准矩形，并且，在进气端，多个进气孔10分布的宽度L并不是完整覆盖整个反应腔的宽度。这就导致气体进入反应腔时，腔室进气端两侧形成死角，反应腔内的气体会因浓度差向腔室进气端两侧急速扩散，形成涡流。图2中所示的便是反应腔内的气体分布图，从图中可以看出，在距离进气端比较近的两个角部处出现了涡流。涡流的存在会导致工艺气体待沉积的基片表面分布不均匀，进而影响工艺效果。

因此，如何避免工艺气体在工艺腔内形成涡流成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种进气装置和一种包括该进气装置的化学气相沉积设备。在利用所述化学气相沉积设备执行化学气相沉积时，腔室内工艺气体分布均匀，不存在涡流。

为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种进气装置，所述进气装置用于化学气相沉积设备，所述进气装置包括沿进气方向间隔设置的多级气体混合腔，相邻两级气体混合腔之间通过若干个间隔设置的通道相连通，其中，

任意一级所述气体混合腔的腔壁上均设置有至少一个进气口，每个所述进气口用于通入其中一种工艺气体；位于最后一级所述气体混合腔的腔壁上设置有若干个出气口。

优选地，所述进气装置包括具有一级气体混合腔的第一混气盒和具有二级气体混合腔的第二混气盒，其中，

所述第一混气盒的底板与所述第二混气盒的顶板贴合，且所述第一混气盒的底板上形成有若干个第一连通气孔，所述第二混气盒的顶板上形成有若干个第二连通气孔，若干个所述第一连通气孔与若干个所述第二连通气孔一一对应且对齐形成若干个所述通道；

所述第一混气盒上形成有至少一个所述进气口，所述第二混气盒上形成有至少一个所述进气口，若干个所述出气口形成在所述第二混气盒的底板上。

优选地，所述进气装置还包括多个进气管，且多个所述进气管与对应的所述进气口连通。

作为本发明的第二个方面，提供一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包括工艺腔和设置在所述工艺腔中的基片承载座，其中，所述化学气相沉积设备还包括设置在所述工艺腔顶部的进气装置，所述进气装置为本发明所提供的上述进气装置。

优选地，所述进气装置的出气口的出气方向朝向所述基片承载座的承载面，且所述出气方向与所述承载面垂直。

优选地，所述化学气相沉积设备还包括用于对所述工艺腔进行加热的加热组件，其中，

所述加热组件包括沿所述工艺腔的高度方向由顶部至底部依次设置的第一加热组件、第二加热组件和第三加热组件，所述第一加热组件、所述第二加热组件和所述第三加热组件能够被分别独立地控制。