[发明专利]一种微型芯片转移吸嘴的制造工艺有效
申请号: | 201811340530.5 | 申请日: | 2018-11-12 |
公开(公告)号: | CN109494181B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 陶金;梁静秋;梁中翥;王惟彪;孟德佳;吕金光;秦余欣;李阳;王家先;赵永周 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B81C1/00 |
代理公司: | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人: | 张伟 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微型 芯片 转移 制造 工艺 | ||
1.一种微型芯片转移吸嘴的制造工艺,其特征在于,微型芯片转移吸嘴,包括:
基座(10),其一端具有基座导气孔(11),用于与真空吸盘(15)的导气孔(17)贯通,所述基座(10)另一端具有与芯片接触的密封层(14),所述基座(10)位于所述基座导气孔(11)端的表面通过密封胶(16)与所述真空吸盘(15)固连;
凸台(12),其固连在所述基座(10)远离所述基座导气孔(11)的一侧,所述密封层(14)固连在所述凸台(12)上表面,所述凸台(12)具有贯穿于所述基座(10)、并与所述基座导气孔(11)连通的凸台导气孔(13);
所述凸台导气孔(13)的孔径尺寸小于被转移的5-100μm芯片外形尺寸;
所述基座(10)材料为硅晶圆或玻璃晶圆;
该微型芯片转移吸嘴的制造工艺,包括以下步骤:
步骤S301,提供所述基座(10);
步骤S302,在所述基座(10)一侧制造所述基座导气孔(11);
步骤S303,在所述基座(10)另一侧制造所述凸台(12);
步骤S304,在所述凸台(12)表面制造贯穿于所述基座(10)、并与所述基座导气孔(11)连通的凸台导气孔(13);
步骤S305,在所述凸台(12)上表面粘接所述密封层(14);
步骤S306,在所述基座(10)相对于所述凸台(12)的一侧表面上通过密封胶(16)与所述真空吸盘(15)固连。
2.根据权利要求1所述的一种微型芯片转移吸嘴的制造工艺,其特征在于;
所述凸台(12)的水平截面为圆形,其外径小于所述基座(10)外径。
3.根据权利要求2所述的一种微型芯片转移吸嘴的制造工艺,其特征在于;
所述凸台导气孔(13)为圆形或多边形。
4.根据权利要求3所述的一种微型芯片转移吸嘴的制造工艺,其特征在于;
被转移的5-100μm芯片外形尺寸完全覆盖所述凸台导气孔(13)的孔径尺寸。
5.根据权利要求3所述的一种微型芯片转移吸嘴的制造工艺,其特征在于;
所述基座导气孔(11)尺寸大于所述凸台导气孔(13)尺寸。
6.根据权利要求1所述的一种微型芯片转移吸嘴的制造工艺,其特征在于;
所述密封层(14)材料为PDMS或PI或PMMA或光刻胶。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的一种微型芯片转移吸嘴的制造工艺,其特征在于;
所述基座(10)远离所述基座导气孔(11)的一侧布设有呈矩阵布置的多个所述凸台(12),所述凸台(12)均设有贯穿于所述基座(10)、并与所述基座导气孔(11)连通的所述凸台导气孔(13)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造