[发明专利]一种微型芯片转移吸嘴的制造工艺

说明书

本发明公开了一种微型芯片转移吸嘴的制造工艺，属于微型阵列器件制作技术领域，用于解决尺寸在5‑100μm范围内的微型芯片转移制备问题，本发明设置有基座，其一端具有基座导气孔，用于与真空吸盘的导气孔贯通，所述基座另一端具有与芯片接触的密封层，所述基座位于所述基座导气孔端的表面通过密封胶与所述真空吸盘固连；凸台，其固连在所述基座远离所述基座导气孔的一侧，所述密封层固连在所述凸台上表面，所述凸台具有贯穿于所述基座、并与所述基座导气孔连通的凸台导气孔，本发明具有转移效率高、结构简单、易于制备的特点。

技术领域

本发明涉及微型阵列器件制作技术领域，尤其涉及一种微型芯片转移吸嘴的制造工艺。

背景技术

目前，集成电路封装中微型阵列器件(微型LED阵列、MEMS开光等)进一步小型化、集成化，芯片的转移是集成电路封装过程最重要的环节，传统的阵列器件的芯片转移主要采用Chip on Board(COB)工艺，COB技术采用高精度贴片机实现芯片到基板的转移，受固晶机转移吸嘴尺寸的限制，通常可转移芯片的最小尺寸约100μm，这限制了微型阵列芯片的进一步微型化。

近年来，为了实现更小尺寸的芯片(5-100μm)的转移，研究者们开发了基于PMDS的转印技术和基于微型硅电极的静电转移技术,PDMS转移技术通过制作的PDMS模具与芯片间的吸附力(范德华力)拾取芯片，微型硅电极转移技术在硅电极和芯片之间施加一个电压，通过静电吸附力来拾取芯片。

所以，提供一种微型芯片转移吸嘴及转移吸嘴的制造工艺，通过半导体工艺实现该转移吸嘴的加工制造，通过真空吸力实现微型芯片的拾取，特别适用于尺寸在5-100μm范围内的微型芯片的转移是必要的。

发明内容

本发明的目的是提供一种微型芯片转移吸嘴，能够转移尺寸在5-100μm范围内的微型芯片，转移效率高、结构简单、易于制备。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明公开的一种微型芯片转移吸嘴，包括：

基座，其一端具有基座导气孔，用于与真空吸盘的导气孔贯通，所述基座另一端具有与芯片接触的密封层，所述基座位于所述基座导气孔端的表面通过密封胶与所述真空吸盘固连；

凸台，其固连在所述基座远离所述基座导气孔的一侧，所述密封层固连在所述凸台上表面，所述凸台具有贯穿于所述基座、并与所述基座导气孔连通的凸台导气孔。

进一步的，所述凸台的水平截面为圆形，其外径小于所述基座外径。

进一步的，所述凸台导气孔为圆形或多边形。

进一步的，被转移的5-100μm芯片外形尺寸完全覆盖所述凸台导气孔的孔径尺寸。

进一步的，所述基座导气孔尺寸大于所述凸台导气径尺寸。

进一步的，所述基座材料为硅晶圆或玻璃晶圆。

进一步的，所述密封层材料为PDMS或PI或PMMA或光刻胶。

进一步的，所述基座远离所述基座导气孔的一侧布设有呈矩阵布置的多个所述凸台，所述凸台均设有贯穿于所述基座、并与所述基座导气孔连通的所述凸台导气孔。

本发明公开的一种微型芯片转移吸嘴的制造工艺，包括以下步骤：

步骤S301，提供所述基座；

步骤S302，在所述基座一侧制造所述基座导气孔；

步骤S303，在所述基座另一侧制造所述凸台；

步骤S304，在所述凸台表面制造贯穿于所述基座、并与所述基座导气孔连通的凸台导气孔；

步骤S305，在所述凸台上表面粘接所述密封层；