[发明专利]一种具有夹层的类金刚石膜

说明书

本发明提出了一种具有夹层的类金刚石膜，所述类金刚石膜包括三层结构，该三层结构包括作为基层的底层介质层、中间介质层以及置于表面的类金刚石层，所述底层介质层为Co，中间介质层为Ti系材料；所述底层介质层、中间介质层以及类金刚石层均采用微波等离子体气相沉积方法制备得到；其中，所述底层介质层的厚度为1～5um，所述中间介质层的厚度为100～800nm，所述类金刚石层的厚度为1～5um。采用本发明的类金刚石，由于该中间层为Ti系材料，提高了形成DLC的结合度。

技术领域

本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其涉及一种具有夹层的类金刚石膜。

背景技术

一般而言，已知在基材的表面形成DLC(Diamond-Liked Carbon，类金刚石膜)膜时，基材与DLC膜的结合度差，DLC膜变得容易剥离。

鉴于上述原因，有必要提出一种能够提高基材与DLC膜的密合性的类金刚石膜。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种具有夹层的类金刚石膜，旨在提出一种能够提高基材与DLC膜的密合性的类金刚石膜。

为实现上述目的，本发明提供的一种具有夹层的类金刚石膜，所述类金刚石膜包括三层结构，该三层结构包括作为基层的底层介质层、中间介质层以及置于表面的类金刚石层，所述底层介质层为Co，中间介质层为Ti系材料；

所述底层介质层、中间介质层以及类金刚石层均采用微波等离子体气相沉积方法制备得到；其中，所述底层介质层的厚度为1～5um，所述中间介质层的厚度为100～800nm，所述类金刚石层的厚度为1～5um。

优选地，所述中间介质层包括Ti和TiC。

优选地，所述中间介质层的Ti的厚度为100～200nm，所述TiC的厚度为200～300nm。

优选地，所述底层介质层的厚度为1um，所述中间介质层的Ti的厚度为100nm，所述TiC的厚度为200nm，所述类金刚石层的厚度为1um。

优选地，所述底层介质层的厚度为3um，所述中间介质层的Ti的厚度为150nm，所述TiC的厚度为250nm，所述类金刚石层的厚度为3um。

优选地，所述底层介质层的厚度为5um，所述中间介质层的Ti的厚度为200nm，所述TiC的厚度为300nm，所述类金刚石层的厚度为5um。

本发明类金刚石膜包括三层结构，该三层结构包括作为基层的底层介质层、中间介质层以及置于表面的类金刚石层，所述底层介质层为Co，中间介质层为Ti系材料；所述底层介质层、中间介质层以及类金刚石层均采用微波等离子体气相沉积方法制备得到；其中，所述底层介质层的厚度为1～5um，所述中间介质层的厚度为100～800nm，所述类金刚石层的厚度为1～5um。采用本发明的类金刚石，由于该中间层为Ti系材料，提高了形成DLC的结合度。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明实施例解决的技术问题、所采用的技术方案以及实现的技术效果进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，并不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的前提下，所获得的所有其它等同或明显变型的实施例均落在本发明的保护范围内。本发明实施例可以按照权利要求中限定和涵盖的多种不同方式来具体化。

需要说明的是，在下面的描述中，为了方便理解，给出了许多具体细节。但是很明显，本发明的实现可以没有这些具体细节。

需要说明的是，在没有明确限定或不冲突的情况下，本发明中的各个实施例及其中的技术特征可以相互组合而形成技术方案。

本发明提出了一种具有夹层的类金刚石膜，旨在提出一种能够提高基材与DLC膜的密合性的类金刚石膜。