[发明专利]一种应用于单晶炉的底部法兰

权利要求书

1.一种应用于单晶炉的底部法兰，其特征在于，包括下圆盘组件、水平调整组件与氩气管路；

所述下圆盘组件包括下圆盘、封板、水嘴接口和隔板；

所述下圆盘是圆柱体结构的圆盘，且下圆盘的上端面上设有两个环形凹槽，分别为第一凹槽与第二凹槽；其中第一凹槽与上端面为同心圆，且靠近上端面外缘，第二凹槽设于靠近下圆盘中心处；凹槽上均设有圆形封板，且封板直径与凹槽的外径相同；下圆盘侧面打有2个深孔，用于连通两个环形凹槽，上端面靠近中心处开有2个贯穿孔；所述水嘴接口有两个，均焊接在第一凹槽上的封板上，并与第一凹槽的腔体连通；所述隔板有两块，分设于第一凹槽与第二凹槽内，垂直于槽壁并位于2个深孔中间处，用于实现将下圆盘腔体分隔形成水路；

所述水平调整组件包括水平调整副室、顶板与KF10×40法兰；

所述水平调整副室是空心圆柱结构，底部焊设于下圆盘上端面，在侧部开有单边通孔，用于焊接KF10×40法兰；所述顶板是由自上而下的三个空心圆柱组成的工字型结构，焊接于水平调整副室上端面上；

所述氩气管路为通过焊接三通连接的3/8EP管与KF10×20法兰组成的管路，3/8EP管有两根，端部分别与下圆盘上端面的贯穿孔焊接。

2.根据权利要求1所述的法兰，其特征在于，所述第一凹槽的外沿与内沿为两个同心圆，其直径之比为：572:536，凹槽深度与下圆盘的高之比为：9∶20；第二凹槽圆心与下圆盘圆心距离90mm，外径与内径比为4:3，凹槽深度与下圆盘高度比为：9∶20；下圆盘上端面的分度圆上均布有6个通孔，的分度圆上均布有3个深度为30mm的M27螺纹孔；下圆盘侧面的深孔为深孔，上端面连接3/8EP管的贯穿孔为贯穿孔。

3.根据权利要求1所述的法兰，其特征在于，所述水嘴接口是外径的管体，两个水嘴接口与下圆盘上端面圆心连线呈15°，水嘴接口端部设有RC3/4锥形螺纹孔，用于直角弯头的连接。

4.根据权利要求1所述的法兰，其特征在于，所述水平调整副室在高度方向上6∶31处，开的单边通孔；靠近通孔侧的端口，开有3×30°坡口，另一侧端口为4×30°坡口，用于焊接固定。

5.根据权利要求1所述的法兰，其特征在于，所述顶板由上至下，三个圆柱外径比为55∶40∶76，在最大外径圆柱的端面设有高度1mm，直径的定位台阶档，并在台阶档下方，开有3×30°坡口，用于焊接固定。

6.根据权利要求1所述的法兰，其特征在于，封板的底面开有直径的燕尾槽，用于安装密封圈，保证拉晶过程中的密封性。