[发明专利]一种应用于单晶炉的底部法兰

说明书

本发明是关于单晶炉的辅助设备领域，特别涉及一种应用于单晶炉的底部法兰。包括下圆盘；下圆盘是圆柱体结构的圆盘，且圆盘的上端面上设有两个环形凹槽，凹槽上均设有圆形封板，水嘴接口有两个，均焊接在第一凹槽上的封板上，并与第一凹槽的腔体连通；隔板有两块，分设于第一凹槽与第二凹槽内；水平调整副室是空心圆柱结构，底部焊设于下圆盘上端面，在侧部开有单边通孔，用于焊接KF10×40法兰；顶板焊接于水平调整副室上端面上；氩气管路为通过焊接三通连接的3/8EP管与KF10×20法兰组成的管路。本发明提高了底部法兰的密封性能；提高单晶炉的硅棒单次生产重量，降低辅助材料的替换频率，提高生产效率，降低生产成本。

技术领域

本发明是关于单晶炉的辅助设备领域，特别涉及一种应用于单晶炉的底部法兰。

背景技术

单晶硅是用于太阳能光伏发电的重要材料。单晶硅生产中需要进行拉晶，拉晶效率及质量直接影响单晶硅的生产。目前，为提升效率，拉晶所得晶体体积越来越大，这也对拉晶过程提出了更高的要求。拉晶的过程中，需要保证引晶体的垂直及晶体保护，因此作为调节组件的重要组成部分——底部法兰对提高整个生产链效率及产品质量有很大的影响。

现在国家极度重视新能源的开发及应用，并投入大量资金对光伏行业进行扶持，国内单晶硅的需求不断增加，该产业的特点为技术、资本双密集型。从技术上来说，技术先进程度直接决定了生产成本的高低，而生产成本对于单晶硅企业的盈利性非常敏感；从资本角度看，单晶硅生产需要投入大量设备，扩产周期长，且对人员生产控制要求很高。因此单晶硅行业进入壁垒较高，行业龙头的先发优势非常明显，短期内行业竞争格局较难打破。提高单晶硅产能，降低能耗，也成了单晶硅生产企业是否能成为行业龙头的关键因素之一。

作为水平调整机构的重要组件，底部法兰焊接工艺的研制显得尤为重要，既能提高产能、降低生产成本，又能保证质量稳定性，确保在拉晶过程中的晶体能够得到充足的氩气保护同时保证引晶体的垂直，使得拉晶获得产品满足要求。

然而在现有技术中，底部法兰在工作过程中因焊接不良出现生产安装困难、现场漏水和密封不牢等问题，导致返工、报废，成本增加，单晶拉晶过程中辅助材料和能源消耗大。

发明内容

本发明的主要目的在于克服现有技术中的不足，提供一种应用于单晶炉的底部法兰。为解决上述技术问题，本发明的解决方案是：

提供一种应用于单晶炉的底部法兰，包括下圆盘组件、水平调整组件与氩气管路；下圆盘组件包括下圆盘、封板、水嘴接口和隔板；

下圆盘是圆柱体结构的圆盘，且圆盘的上端面上设有两个环形凹槽，分别为第一凹槽与第二凹槽；其中第一凹槽与上端面为同心圆，且靠近上端面外缘，第二凹槽设于靠近圆盘中心处；凹槽上均设有圆形封板，且封板直径与凹槽的外径相同；圆盘侧面打有2个深孔，用于连通两个环形凹槽；上端面靠近中心处开有2个贯穿孔；水嘴接口有两个，均焊接在第一凹槽上的封板上，并与第一凹槽的腔体连通；隔板有两块，分设于第一凹槽与第二凹槽内，垂直于槽壁并位于2个深孔中间处，用于实现将圆盘腔体分隔形成水路；

水平调整组件包括水平调整副室、顶板与KF10×40法兰；

水平调整副室是空心圆柱结构，底部焊设于下圆盘上端面，在侧部开有单边通孔，用于焊接KF10×40法兰；顶板是由自上而下的三个空心圆柱组成的工字型结构，焊接于水平调整副室上端面上；

氩气管路为通过焊接三通连接的3/8EP管与KF10×20法兰组成的管路，3/8EP管有两根，端部分别与下圆盘上端面的贯穿孔焊接。氩气从KF10×20法兰进入，通过焊接三通与3/8EP管分为两路进入单晶炉副炉室。