[发明专利]一种带有驱动辅助电路的结栅型晶体管在审
申请号: | 201811343194.X | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN109167591A | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 黄兴;陈欣璐 | 申请(专利权)人: | 派恩杰半导体(杭州)有限公司 |
主分类号: | H03K17/081 | 分类号: | H03K17/081;H03K17/687 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310053 浙江省杭州市滨江区浦*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动辅助电路 可变阻抗网络 控制网络 晶体管 栅型 器件驱动电路 半导体器件 降低器件 开关效率 输入电压 瞬态变化 外加电压 栅极电流 低阻抗 高阻抗 新一代 等极 分压 功耗 门极 稳态 延时 兼容 引入 开通 | ||
1.一种带有驱动辅助电路的结栅型晶体管,其特征在于,包括:
结栅型晶体管T和驱动辅助电路Q,其中驱动辅助电路Q包括可变阻抗网络Z和控制网络C;
当驱动输入为稳态第一电位时,可变阻抗网络Z为低阻抗,当驱动输入突变为第二电位时,控制网络C可在短暂延时后将可变阻抗网络Z调整为高阻抗,当驱动输入进入第二电位稳态时,控制网络C使可变阻抗网络Z保持在高阻抗。
2.根据权利要求1所述的结栅型晶体管T,其特征在于,所述的结栅型晶体管T的栅极为PN结、肖特结和异质结之中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的结栅型晶体管T,其特征在于,所述的结栅型晶体管T的体材料为Si,Ge,SiC,GaN,AlxGa1-xN,AlN,InP,钻石和Ga2O3中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的可变电阻网络Z,其特征在于,所述的可变电阻网络Z的低阻抗阻值小于50欧姆,其高阻抗阻值大于低阻抗的2倍。
5.根据权利要求1所述的驱动输入,其特征在于,当所述的驱动输入为第一电位时结栅型晶体管T为关断,当所述的驱动输入为第二电位时结栅型晶体管T为开通。
6.根据权利要求1所述的控制网络C,其特征在于,所述的短暂延时使得可变电阻网络Z的阻抗变化在结栅型晶体管T完全开通以后。
7.根据权利要求1所述的驱动辅助电路Q,其特征在于,所述的驱动辅助电路Q可为与结栅型晶体管T集成在同一芯片内的集成电路、置放在同一封装内的独立集成电路芯片、与驱动芯片集成在同一芯片上或者分立器件组装在电路系统中。
8.根据权利要求1所述的可变阻抗网络Z,其特征在于,所述的可变阻抗网络Z由至少一个晶体管和一个电阻组成。
9.根据权利要求1所述的控制网络C,其特征在于,所述的控制网络C是电容电阻网络、级联反相器和施密特触发器之中的至少一种。
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