[发明专利]一种电致发光显示器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811343427.6 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109524438B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 万凯;钟小华 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电致发光 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种电致发光显示器件，其特征在于，包括：
TFT层；
第一功能层，所述第一功能层设置于所述TFT层上；
电致发光层，所述电致发光层设置于所述第一功能层上；
功能棒，所述功能棒设置于所述第一功能层和所述电致发光层中,其由P型Bi2Te3材料构成；以及
第二功能层，所述第二功能层设置于所述电致发光层上。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示器件，其特征在于，所述功能棒顶部向上延伸至所述电致发光层厚度的0.4-0.6的位置处。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示器件，其特征在于，所述第一功能层包括：
ITO阳极，所述ITO阳极设置于所述TFT层上；
空穴注入层，所述空穴注入层设置于所述ITO阳极上；以及
空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述空穴注入层上。
4.根据权利要求3所述的电致发光显示器件，其特征在于，所述功能棒底部与所述ITO阳极的表面相接。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示器件，其特征在于，所述功能棒包括2个或以上的数量，这些功能棒组成一个阵列，均匀设置在所述第一功能层及所述电致发光层中。
6.根据权利要求1所述的电致发光显示器件，其特征在于，所述电致发光层由电致发光材料组成，所述电致发光材料的HOMO能级范围为5-6eV；所述功能棒的P型Bi2Te3材料的功函数为5.3eV。
7.根据权利要求1所述的电致发光显示器件，其特征在于，所述第二功能层包括：
电子传输层，所述电子传输层设置于所述电致发光层上；
电子注入层，所述电子注入层设置于所述电子传输层上；以及
金属阴极，所述金属阴极设置于所述电子注入层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
