[发明专利]一种电致发光显示器件及其制备方法有效
申请号: | 201811343427.6 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN109524438B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 万凯;钟小华 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电致发光 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种电致发光显示器件及其制备方法,包括依次设置的TFT层、第一功能层、电致发光层、第二功能层以及功能棒。本发明提供的一种电致发光显示器件,一方面,利用功能棒的组成材料P型Bi2Te3的塞贝克效应,吸收利用TFT层的热量并转化为电能,有效的降低TFT层的热量,减少电路和有机材料的老化,提高电致发光显示器件的寿命;另一方面,所述功能棒的P型Bi2Te3材料的功函数为5.3eV,电致发光层材料的HOMO能级在5‑6eV,在温差电动势的驱动下,将功能棒的组成材料P型Bi2Te3中的多子(空穴)注入到电致发光层中,提高电致发光层中的载流子浓度,进而可以提高电致发光显示器件的发光亮度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种电致发光显示器件及其制备方法。
背景技术
AMOLED(英文全称:Active-matrix organic light-emitting diode,有源矩阵电致发光二极显示面板)起源于OLED(英文全称:Organic Light-Emitting Diode,电致发光二极管技术)显示技术,它具有柔性、自发光、面板厚度小、反映时间短等绝对优势,使得AMOLED成为最有潜力替代TFT-LCD显示器的显示面板。
AMOLED为电致发光器件。工作原理是:显示面板在外部电场的驱动下,由ITO阳极向电致发光层注入空穴,由金属阴极向电致发光层注入电子。当电子、空穴在电致发光层相遇时,在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对),而此激发态在通常的环境中是不稳定的,激发态的激子复合并将能量传递给发光材料,使其从基态能级跃迁为激发态,激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子,释放出光能。
AMOLED显示器作为典型的电致发光器件,在工作的过程中不可避免的会产生热量;另外AMOLED显示器依赖电流驱动,其光通量和寿命成反比,亮度与电流密度成正比。为了得到高亮度就需要设计复杂的TFT电路控制电流,必然会产生高热量,从而会加速有驱动电路和机发光层材料的老化,降低器件的使用寿命。因此,能有效控制AMOLED的工作温度是提高整个显示器性能的重要问题。
针对这个问题,可以在金属阴极和AMOLED发光体之间加入一层石墨烯导热层,利用石墨烯的超高热导率将AMOLED产生的热量传递给金属阴极,因为金属的比热较低,具有很好的散热效果。该方法对于AMOLED发光的散热有一定的效果,但是对于上发光的AMOLED器件,石墨烯的加入在一定程度上也会影响发光层的有效出光率。
因此,需要寻求一种新型的电致发光显示器件,以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种电致发光显示器件及其制备方法,其能够解决目前AMOLED显示器件存在的温度高、器件使用寿命低的问题。
为了解决上述问题,本发明提供一种电致发光显示器件,包括依次设置的TFT(英文全称:Thin Film Transistor,薄膜晶体管)层、第一功能层、电致发光层、功能棒以及第二功能层。其中所述第一功能层设置于所述TFT层上;所述电致发光层设置于所述第一功能层上;所述功能棒设置于所述第一功能层和所述电致发光层中,其由P型Bi2Te3材料构成;所述第二功能层设置于所述电致发光层上。
进一步的,其中所述功能棒顶部向上延伸至所述电致发光层厚度的0.4-0.6的位置处。
进一步的,所述第一功能层包括依次设置的ITO阳极、设于所述ITO阳极上的空穴注入层以及设置于所述空穴注入层上的空穴传输层。其中所述ITO阳极设置于所述TFT层上。
进一步的,其中所述功能棒的底部与所述ITO阳极的表面相接。
进一步的,其中所述功能棒包括2个或以上数量,这些功能棒组成一个阵列,均匀设置在所述第一功能层及所述电致发光层中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811343427.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的