[发明专利]竖直构造的温度感测电阻器及其制造方法

权利要求书

1.一种装置，其包括：

半导体衬底，其包括第一掺杂区、第二掺杂区、以及在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的第三掺杂区，所述第三掺杂区包括温度敏感的半导体材料；

第一接触件，其耦接到所述第一掺杂区；

第二接触件，其与所述第一接触件相对，所述第二接触件耦接到所述第二掺杂区；以及

隔离沟槽，其用于界定所述第三掺杂区。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有比所述第三掺杂区更高的掺杂剂浓度。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第三掺杂区是外延区，所述外延区具有比所述第一掺杂区和所述第二掺杂区更低的掺杂剂浓度。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述隔离沟槽包括非导电材料。

5.根据权利要求1所述的装置，其中电压源或电流源中的至少一个耦接到所述第一接触件，并且电流路径被限定为通过由所述隔离沟槽界定的所述第三掺杂区从所述第一接触件到所述第二接触件。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一接触件和所述第二接触件之间的电阻大于或等于5000kΩ。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一接触件和所述第二接触件之间的电阻对应于所述隔离沟槽的周界。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述第三掺杂区被修整以调节所述第三掺杂区的电阻。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一接触件与所述第一掺杂区接触，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区接触，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区接触，并且所述第二掺杂区与所述第二接触件接触。

10.根据权利要求1所述的装置，还包括：

第三接触件，其耦接到所述第一掺杂区；

第四接触件，其与所述第三接触件相对，所述第四接触件耦接到所述第二掺杂区；

所述第三掺杂区，其在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间；以及

第二隔离沟槽，其用于界定所述第三掺杂区。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述第四接触件是所述第二接触件。

12.根据权利要求10所述的装置，还包括耦接到所述第一接触件和所述第三接触件的键合焊盘。

13.根据权利要求12所述的装置，其中：

所述第一接触件和所述第二接触件之间的第一区域对应于第一热敏电阻器，并且所述第三接触件和所述第四接触件之间的第二区域对应于第二热敏电阻器；以及

所述键合焊盘将所述第一热敏电阻器并联耦接到所述第二热敏电阻器。

14.根据权利要求13所述的装置，还包括对应于第三热敏电阻器的第五接触件，所述键合焊盘将所述第一接触件和所述第三接触件与所述第五接触件耦接，以将所述第一热敏电阻器、所述第二热敏电阻器和所述第三热敏电阻器并联耦接。