[发明专利]微发光二极管转移基板及转移方法、显示面板及制备方法有效
申请号: | 201811344242.7 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN109449260B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 黄华;赵承潭;朱小研;谢昌翰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/48;H01L27/15 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 转移 方法 显示 面板 制备 | ||
1.一种微发光二极管的转移基板,其特征在于,所述转移基板包括:第一衬底基板以及位于所述第一衬底基板之上的电致变形层;所述电致变形层用于:使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度,大于该次不需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度;
所述电致变形层包括:位于所述第一衬底基板之上的第一电极层、以及位于所述第一电极层之上的电活性聚合物层、以及位于所述电活性聚合物层之上的第二电极层;
在所述转移基板上形成微发光二极管膜层时,所述第一电极层为整层设置的面状电极,所述第二电极层为整层设置的面状电极。
2.根据权利要求1所述的转移基板,其特征在于,所述转移基板还包括:位于所述电致变形层之上的贴合胶层。
3.一种微发光二极管的转移方法,其特征在于,该方法包括:
提供根据权利要求1~2任一项所述的转移基板;
在所述转移基板上形成微发光二极管阵列;
按照所述微发光二极管的转移顺序,依次对所述电致变形层加电,使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度,大于该次不需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度,将每次需要转移的所述微发光二极管转移到接受基板。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述转移基板包括位于所述电致变形层之上的贴合胶层;所述在所述转移基板上形成微发光二极管阵列,具体包括:
在生长基板上形成微发光二极管膜层以及位于所述微发光二极管膜层之上的驱动电极层;
剥离所述生长基板并将所述微发光二极管层和所述驱动电极层转移到所述转移基板,使得所述驱动电极层通过贴合胶层与所述转移基板贴合;
至少图形化所述驱动电极层、所述微发光二极管膜层、以及所述贴合胶层,形成微发光二极管阵列。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述电致变形层包括:位于第一衬底基板之上的第一电极层、位于所述第一电极层之上的电活性聚合物层、位于所述电活性聚合物层之上的第二电极层;所述第二电极层为整层设置的面状电极,至少图形化所述驱动电极层、所述微发光二极管膜层、以及所述贴合胶层,形成微发光二极管阵列具体包括:
至少图形化所述驱动电极层、所述微发光二极管膜层、所述贴合胶层以及所述第二电极层,形成微发光二极管阵列以及在所述第二电极层形成多个子电极。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述电致变形层包括:位于第一衬底基板之上的第一电极层、位于所述第一电极层之上的电活性聚合物层、位于所述电活性聚合物层之上的第二电极层;所述接受基板包括引出电极;所述按照所述微发光二极管的转移顺序,依次对所述电致变形层加电,使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度,大于该次不需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度,将每次需要转移的所述微发光二极管转移到接受基板,具体包括:
按照所述微发光二极管的转移顺序,依次对需要转移的所述微发光二极管对应区域的第一电极层和第二电极层加电,使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电活性聚合物层在垂直于所述第一衬底基板的方向上延伸,将每次需要转移的所述微发光二极管对应的驱动电极与所述引出电极键合,并将所述微发光二极管与所述贴合胶剥离。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,该方法包括:
形成阵列基板,所述阵列基板划分为多种颜色的子像素区;
按照预设颜色转移顺序,采用根据权利要求3~6任一项所述的微发光二极管转移的方法,将与所述子像素区颜色相对应的微发光二极管转移至所述阵列基板的所述子像素区。
8.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板采用根据权利要求7所述的显示面板制备方法制得。
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