[发明专利]微发光二极管转移基板及转移方法、显示面板及制备方法

说明书

本申请公开了微发光二极管转移基板及转移方法、显示面板及制备方法，用以简化微发光二极管器件制备的工艺复杂度。本申请实施例提供的一种微发光二极管的转移基板，所述转移基板包括：第一衬底基板以及位于所述第一衬底基板之上的电致变形层；所述电致变形层用于：使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，大于该次不需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及微发光二极管转移基板及转移方法、显示面板及制备方法。

背景技术

近几年，微发光二极管(Micro LED)的显示研究成为热点。微发光二极管(MicroLED)是一种尺寸在几微米到几百微米之间的器件，由于其较普通LED的尺寸要小很多，从而使得单一的LED作为像素(Pixel)用于显示成为可能，Micro LED显示器便是一种以高密度的Micro LED阵列作为显示像素阵列来实现图像显示的显示器，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的缩小版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。目前，Micro LED器件需在供给基板上生长，然后通过微转印技术将Micro LED转移到有电路图案的接收基板上，现有技术中的微转印技术需要使用具有图案化的传送头将Micro LED从供给基板吸附，在将传送头与接收基板对位并将Micro LED贴付到接收基板的预设位置上，再将传送头剥离即可完成Micro LED的转移。上述通过微转印技术转移Micro LED的过程中，需要使用图案化的传送头，传送头结构复杂且制造图案化的传送头需要额外的工艺。并且还需要对传送头进行特殊处理实现对Micro LED的物理贴合，与接收基板完成贴合后，还需要通过紫外照射实现剥离(debonding)。综上，现有技术制备Micro LED器件的工艺复杂。

发明内容

本申请实施例提供了微发光二极管转移基板及转移方法、显示面板及制备方法，用以简化微发光二极管器件制备的工艺复杂度。

本申请实施例提供的一种微发光二极管的转移基板，所述转移基板包括：第一衬底基板以及位于所述第一衬底基板之上的电致变形层；所述电致变形层用于：使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，大于该次不需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度。

本申请实施例提供的微发光二极管的转移基板，由于设置有电致变形层，对电致变形层加电便可以改变电致变形层的高度，使得每次需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，大于该次不需要转移的所述微发光二极管对应区域的电致变形层的厚度，可以保证需要转移的所述微发光二极管与接受基板接触的同时，不需要转移的微发光二极管不会与接收基板接触，实现对转移基板之上的微发光二极管进行批量转移。这样，无需额外设置拾取微发光二极管的传送头，也无需对传送头图形化，从而可以简化微发光二极管的转移流程。并且，在利用本申请实施例提供的转移基板对微发光二极管转移的过程中，可以通过对电致变形层加电的方式实现对微发光二极管的自由选择，可以满足不同像素结构设计对微发光二极管的选取，还可以避免对显示异常的微发光二极管进行选择，可以提高微发光二极管转移良率。

可选地，所述电致变形层包括：位于所述第一衬底基板之上的第一电极层、以及位于所述第一电极层之上的电活性聚合物层、以及位于所述电活性聚合物层之上的第二电极层。

可选地，所述第一电极层为整层设置的面状电极；所述第二电极层为整层设置的面状电极或者所述第二电极层包括多个子电极；所述子电极与所述微发光二极管一一对应。

可选地，所述转移基板还包括：位于所述电致变形层之上的贴合胶层。

本申请实施例提供的一种微发光二极管的转移方法，该方法包括：

提供本申请实施例提供的上述转移基板；

在所述转移基板上形成微发光二极管阵列；