[发明专利]干蚀刻设备的上电极及其制造方法在审
| 申请号： | 201811344445.6 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109360779A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 温彦跃 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 干蚀刻设备 导电板体 电极 进气孔 制造 | ||
1.一种干蚀刻设备的上电极，其特征在于，包括导电板体，所述导电板体分成多个区域，所述导电板体的每一个区域开设有多个进气孔，其中所述多个区域的至少两个区域的进气孔的分布密度不同。
2.根据权利要求1所述的干蚀刻设备的上电极，所述干蚀刻设备进一步包括一反应室腔体以及一下电极，所述上电极及所述下电极设置于所述反应室腔体中，其特征在于，所述多个区域的至少一个区域对应至所述干蚀刻设备的四角、边缘、以及中心部位的其中一者。
3.根据权利要求2所述的干蚀刻设备的上电极，其特征在于，所述多个区域的至少一个区域对应至所述干蚀刻设备的四个象限的中心位置。
4.根据权利要求3所述的干蚀刻设备的上电极，其特征在于，所述多个区域的至少一个区域对应至所述干蚀刻设备不包括所述干蚀刻设备的四角、边缘、中心部位、以及四个象限的中心位置的其他位置。
5.根据权利要求4所述的干蚀刻设备的上电极，其特征在于，对应至所述干蚀刻设备的四角、边缘、以及中心部位的其中一者的区域的进气孔的分布密度低于对应至所述干蚀刻设备的其他位置的进气孔的分布密度。
6.根据权利要求5所述的干蚀刻设备的上电极，其特征在于，对应至所述干蚀刻设备的其他位置的区域的进气孔的分布密度低于对应至所述干蚀刻设备的四个象限的中心位置的进气孔的分布密度。
7.一种干蚀刻设备的上电极的制造方法，其特征在于，包括：
提供一导电板体，所述导电板体分成多个区域；以及
于所述导电板体的每一个区域开设多个进气孔，其中所述多个区域的至少两个区域的进气孔的分布密度不同。
8.根据权利要求7所述的干蚀刻设备的上电极的制造方法，其特征在于，进一步包括：
将所述多个区域的至少一个区域中的相邻进气孔之间形成多个进气孔。
9.根据权利要求7所述的干蚀刻设备的上电极的制造方法，其特征在于，进一步包括：
将所述多个区域的至少一个区域中的进气孔的一部分堵住。
10.根据权利要求7所述的干蚀刻设备的上电极的制造方法，其特征在于，进一步包括：
将所述多个区域的至少一个区域中的进气孔间隔地堵住。
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