[发明专利]干蚀刻设备的上电极及其制造方法

说明书

一种干蚀刻设备的上电极，包括导电板体，所述导电板体分成多个区域，所述导电板体的每一个区域开设有多个进气孔，其中所述多个区域的至少两个区域的进气孔的分布密度不同。还提供一种干蚀刻设备的上电极的制造方法。

技术领域

本揭示涉及干蚀刻技术领域，特别是涉及一种干蚀刻设备的上电极及其制造方法。

背景技术

随着显示装置的发展，玻璃尺寸不断增大，干蚀刻设备的蚀刻均一性(uniformity)对产品性能及质量具有至关重要的作用。高阶产品对残膜均一性的要求越来越高。举例来说，栅极绝缘层蚀刻后的残膜均一性需要做到5％以下才能实现电性及色偏需求。栅极绝缘层的残膜厚度与色偏分布图呈现一致的关系。更明确地说，栅极绝缘层四角的厚度较薄，色偏的程度较低。栅极绝缘层中间的残膜厚度较厚，色偏的程度较高。也就是说，栅极绝缘层厚度不均会导致颜色不均的问题。

干蚀刻制程中，所需的反应气体在反应室腔体内的分布均一性直接决定蚀刻速率的均一性。反应气体通过上电极上的进气孔进入反应室腔体，在上下电极间的电源作用下形成等离体(plasma)，进而对膜层进行蚀刻。局部plasma密度越高，蚀刻速率越快。局部plasma密度越低，蚀刻速率越慢。plasma密度与反应气体在反应室腔体的分布直接相关。现有干蚀刻设备采用的上电极进气孔分布均匀，而排气孔安置在反应室腔体的四角(即下电极的四角)。气体从进气孔进入反应室腔体后形成plasma，制程完成后从排气孔排出。由于排气孔分布不均匀(仅下电极的四角)，必然使得反应气体从进气孔到出气孔之间形成固定气流路线，造成反应气体在反应室腔体内的分布不均。因此，蚀刻后的膜层不均，导致色偏问题严重。

因此有必要通过改变上电极进气孔密度来补偿气体分布不均。

发明内容

本揭示的目的在于提供一种干蚀刻设备的上电极及其制造方法，其能解决现有技术中的问题。

为解决上述问题，本揭示提供的一种干蚀刻设备的上电极包括导电板体，所述导电板体分成多个区域，所述导电板体的每一个区域开设有多个进气孔，其中所述多个区域的至少两个区域的进气孔的分布密度不同。

于一实施例中，所述干蚀刻设备进一步包括一反应室腔体以及一下电极，所述上电极及所述下电极设置于所述反应室腔体中，所述多个区域的至少一个区域对应至所述干蚀刻设备的四角、边缘、以及中心部位的其中一者。

于一实施例中，所述多个区域的至少一个区域对应至所述干蚀刻设备的四个象限的中心位置。

于一实施例中，所述多个区域的至少一个区域对应至所述干蚀刻设备不包括所述干蚀刻设备的四角、边缘、中心部位、以及四个象限的中心位置的其他位置。

于一实施例中，对应至所述干蚀刻设备的四角、边缘、以及中心部位的其中一者的区域的进气孔的分布密度低于对应至所述干蚀刻设备的其他位置的进气孔的分布密度。

于一实施例中，对应至所述干蚀刻设备的其他位置的区域的进气孔的分布密度低于对应至所述干蚀刻设备的四个象限的中心位置的进气孔的分布密度。

为解决上述问题，本揭示提供的一种干蚀刻设备的上电极的制造方法包括：提供一导电板体，所述导电板体分成多个区域；以及于所述导电板体的每一个区域开设多个进气孔，其中所述多个区域的至少两个区域的进气孔的分布密度不同。

于一实施例中，所述干蚀刻设备的上电极的制造方法进一步包括：将所述多个区域的至少一个区域中的相邻进气孔之间形成多个进气孔。

于一实施例中，所述干蚀刻设备的上电极的制造方法进一步包括：将所述多个区域的至少一个区域中的进气孔的一部分堵住。

于一实施例中，所述干蚀刻设备的上电极的制造方法进一步包括：将所述多个区域的至少一个区域中的进气孔间隔地堵住。